[发明专利]交流驱动静电吸盘无效
| 申请号: | 201280046775.1 | 申请日: | 2012-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN103890927A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
| 发明(设计)人: | 穴田和辉;石川佳津子;吉井雄一;米泽顺治 | 申请(专利权)人: | TOTO株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 金相允;浦柏明 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 交流 驱动 静电 吸盘 | ||
1.一种交流驱动静电吸盘,
具备:电介体基板,具有形成于载置被吸附物侧的主面的突起部与形成于所述突起部周围的底面部;以及
电极,设置在所述电介体基板,其中,
所述电极包括多个相互分离配设的电极元件,所述多个电极元件能够分别被施加相位各不相同的交流电压,
所述突起部根据所述多个电极元件的形状,按规定的间隔配置于所述主面上。
2.根据权利要求1所述的交流驱动静电吸盘,其中,
所述突起部存在于将所述多个电极元件投影到所述主面的投影面之上。
3.根据权利要求1所述的交流驱动静电吸盘,其中,
所述突起部存在于将所述多个电极元件投影到所述主面的投影面之上以外的位置。
4.根据权利要求2所述的交流驱动静电吸盘,其中,
所述多个电极元件分别具有延展的部分,
所述突起部在将所述多个电极元件投影到所述主面的投影面之上,存在于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心线之上以外的位置。
5.根据权利要求3所述的交流驱动静电吸盘,其中,
设于所述多个电极元件中的邻接的电极元件之间的间隙具有延展的部分,
所述突起部在将所述间隙投影到所述主面的投影面之上,存在于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心线之上以外的位置。
6.根据权利要求4所述的交流驱动静电吸盘,其中,
多个所述突起部在将所述多个电极元件投影到所述主面的投影面之上,存在于相对于所述中心线对称的位置。
7.根据权利要求5所述的交流驱动静电吸盘,其中,
多个所述突起部在将所述间隙投影到所述主面的投影面之上,存在于相对于所述中心线对称的位置。
8.根据权利要求2所述的交流驱动静电吸盘,其中,
设于所述多个电极元件中的邻接的电极元件之间的间隙具有延展的部分,
多个所述突起部在将所述多个电极元件投影到所述主面的投影面之上,存在于相对于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心线对称的位置。
9.根据权利要求2所述的交流驱动静电吸盘,其中,
所述多个电极元件分别具有延展的部分,
所述突起部在将所述多个电极元件投影到所述主面的投影面之上,存在于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心线之上。
10.根据权利要求3所述的交流驱动静电吸盘,其中,
设于所述多个电极元件中的邻接的电极元件之间的间隙具有延展的部分,
所述突起部在将所述间隙投影到所述主面的投影面之上,存在于在所述部分的所述延展的方向延伸的中心线之上。
11.根据权利要求1所述的交流驱动静电吸盘,其中,
配置于所述主面中央部的相互相邻的突起部彼此的间隔,与配置于所述主面外周部的相互相邻的突起部彼此的间隔相比较窄。
12.根据权利要求1所述的交流驱动静电吸盘,其中,
配置于所述主面中央部的相互相邻的电极彼此的间隔,与配置于所述主面外周部的相互相邻的电极彼此的间隔相比较窄。
13.根据权利要求1所述的交流驱动静电吸盘,其中,
在所述主面垂直观察时,配置于中央部的所述突起部的顶面的面积相对于所述主面的整个面积的比例,与配置于外周部的所述突起部的顶面的面积相对于所述主面的整个面积的比例相比较高。
14.根据权利要求1所述的交流驱动静电吸盘,其中,
配置于所述主面的外周部的所述突起部的直径,与配置于所述主面的中央部的所述突起部的直径相同或者与配置于所述主面的中央部的所述突起部的直径相比较大。
15.根据权利要求9所述的交流驱动静电吸盘,其中,
在所述主面垂直观察时,配置于所述主面的外周部的所述突起部,与配置于所述主面的中央部的所述突起部的排列图案相比,配置于朝外周方向选择性移动过的位置上。
16.根据权利要求10所述的交流驱动静电吸盘,其中,
在所述主面垂直观察时,配置于所述主面的外周部的所述突起部,与配置于所述主面的中央部的所述突起部的排列图案相比,配置于朝外周方向选择性移动过的位置上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





