[发明专利]超疏水薄膜片材的制备方法有效

专利信息
申请号: 201280045937.X 申请日: 2012-07-19
公开(公告)号: CN103814428A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 李东原;高建;朴昇桓;李使命;朴终成 申请(专利权)人: 全南大学校产学协力团
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 谢顺星;张晶
地址: 韩国光*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 疏水 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种超疏水薄膜片材的制备方法,更详细而言,涉及一种超疏水薄膜片材的制备方法,其通过生成形成有突起的结构物,使得所述结构物具有如实际荷叶般的超疏水效果,并涂覆具有疏水性的透明材质的聚合物聚二甲基硅氧烷,从而具有超疏水性表面。

背景技术

目前为止,为了人工实现超疏水性表面而进行了许多研究,但绝大多数都是在大部分表面进行化学处理或者通过半导体工序在硅晶圆上形成纳米结构体的方法。

关于上述的具有超疏水性表面的图案的制备方法,在韩国公开专利10-2010-0008579号(以下称为“现有文献”)中部分公开有上述内容。

如该公开公报中所记载,现有文献中的具有超疏水性表面的图案的制备方法包括如下步骤:(a)利用光刻工序,形成均匀排列有多个微透镜的微透镜阵列;以及(b)将所述微透镜阵列用作模具,形成均匀排列有具有所述微透镜的互补形态的多个微碗的微碗阵列。

但是,如上述现有文献,利用蚀刻工序等现有的半导体工序制作图案的情况下,存在涂布至去除光致抗蚀剂为止的一系列过程需至少重复三次的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:韩国公开专利10-2010-0008579号(公开日:2010.01.16,发明名称:具有超疏水性及超疏水性表面的图案及其形成方法,权利要求13项至21项)

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明是鉴于如上所述的问题而提出的,其目的在于提供一种超疏水薄膜片材的制备方法,其通过调节光致抗蚀剂的固化时间(baking time)及次数来生成形成有突起的结构物,使得所述结构物具有如实际荷叶般的超疏水效果,并通过涂覆具有疏水性的透明材质的聚合物聚二甲基硅氧烷,从而具有超疏水性表面。

(二)技术方案

用于解决这种技术问题的本发明涉及一种超疏水薄膜片材的制备方法,其特征为,其包括如下工序:(a)清洗硅晶圆(Silicon wafer)的表面;(b)利用旋涂法(spin coater),在硅晶圆的上部涂覆光致抗蚀剂(photoresist:感光剂)(AZ4620),并利用烘箱(oven)实施软烘焙(soft-baking);(c)利用掩模对准器(mask aligner),对通过所述(b)工序制得的结构物进行曝光(expose);(d)利用光致抗蚀剂显影液(AZ400K)进行显影(develop);(e)在通过所述(d)工序制得的结构物的上部实施聚二甲基硅氧烷模压成型(molding);以及(f)通过利用丙酮去除光致抗蚀剂(AZ4620)来完成其末端具有突起的超疏水薄膜片材,其中,在所述(b)工序中,增加所述光致抗蚀剂的厚度,并且反复进行规定次数的所述光致抗蚀剂的软烘焙且在进行软烘焙时不同地设定固化时间,以能够使光致抗蚀剂的末端先固化;在所述(e)工序中,利用旋涂法,在通过所述(d)工序制得的结构物的上部涂覆聚二甲基硅氧烷,并利用真空烘箱(Vccuum oven)进行规定次数的所述聚二甲基硅氧烷的软烘焙,在进行软烘焙时不同地设定固化时间,即使在经过规定次数的烘焙之后,所述光致抗蚀剂的内部也未完全固化,通过曝光及显影工序在末端出现突起形状。

(三)有益效果

根据如上所述的本发明,具有如下效果:通过调节光致抗蚀剂的固化时间及次数来生成形成有突起的结构物,使得所述结构物具有如实际荷叶般的超疏水效果,并通过涂覆具有疏水性的透明材质的聚合物聚二甲基硅氧烷,能够制备具有超疏水性表面的超疏水薄膜片材。

并且,根据本发明,与现有的制备方法相比,具有能够通过缩短固化时间来节省工序、制作时间及费用的效果。

而且,根据本发明,能够将具有如荷叶般的超疏水效果的薄膜片材以附着于车辆侧镜的用途等加以应用。因此,当附着于侧镜时,能够以较高的接触角防止下雨时雨滴落在侧镜上的现象,能够确保自动清洗效果。

附图说明

图1是关于本发明的超疏水薄膜片材的制备方法的流程图。

图2是表示本发明的热板与烘箱的固化速度差的例示图。

图3是表示通过现有的制备方法制备的结构物与通过本发明的制备方法制备的结构物的差异的例示图。

图4是本发明的超疏水薄膜片材的突起的光学显微镜照片。

图5是本发明的超疏水薄膜片材的突起的电子扫描显微镜照片。

图6是有无本发明的突起的比较照片。

附图标记说明

10:硅晶圆        20:光致抗蚀剂

30:聚二甲基硅氧烷

具体实施方式

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