[发明专利]光电转换元件以及光电转换元件模块在审
| 申请号： | 201280028394.0 | 申请日： | 2012-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN103620791A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 古宫良一;福井笃;山中良亮 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/042 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 以及 模块 | ||
1.一种光电转换元件，其具有：
透光性基板、
在所述透光性基板上形成的透明导电层、
在所述透明导电层上形成的光电转换层、
与所述光电转换层相接形成的多孔性绝缘层、
与所述多孔性绝缘层相接形成的反射层、以及
在所述反射层上形成的催化剂层和对电极导电层，
所述光电转换层包含多孔性半导体、载流子输送材料和光敏剂，
将所述多孔性绝缘层朝向所述透光性基板垂直投影时的投影面积和将所述反射层朝向所述透光性基板垂直投影时的投影面积，大于将所述光电转换层朝向所述透光性基板垂直投影时的投影面积。
2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述多孔性绝缘层与所述光电转换层的上部以及侧面相接形成，
所述反射层与所述多孔性绝缘层的上部相接形成。
3.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述多孔性绝缘层的膜厚为0.2μm以上且5μm以下。
4.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述多孔性绝缘层以及所述反射层的总膜厚为10μm以上。
5.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述多孔性绝缘层由1×1012Ω·cm以下的导电率的材料构成。
6.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述多孔性绝缘层包含选自由氧化铌、氧化锆、氧化硅化合物、氧化铝以及钛酸钡组成的组中的一种以上的化合物。
7.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述反射层包含氧化铝或氧化钛。
8.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述反射层由与构成所述多孔性半导体的材料相同的材料构成。
9.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述反射层以及所述多孔性半导体由氧化钛构成。
10.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述反射层由平均粒径大于构成所述多孔性半导体的微粒的平均粒径的微粒构成。
11.一种光电转换元件模块，将2个以上光电转换元件串联电连接而成，其中，所述光电转换元件中的至少一个为权利要求1所述的光电转换元件。
12.一种光电转换元件模块，将3个以上光电转换元件串联和/或并联电连接而成，其中，所述光电转换元件中的至少一个为权利要求1所述的光电转换元件。
13.一种光电转换元件模块，将2个以上光电转换元件串联和/或并联电连接而成，其中，所述光电转换元件全部为权利要求1所述的光电转换元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
