[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201280028352.7 | 申请日: | 2012-04-06 |
公开(公告)号: | CN103620794B | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 崔撤焕 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/0749 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池,包括:
基板;
所述基板上的具有纳米棒结构的阻挡层;
布置在所述阻挡层上的背电极层;
布置在所述背电极层上的吸光层;
布置在所述吸光层上的缓冲层;以及
布置在所述缓冲层上的窗口层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述阻挡层的厚度形成为约0.5μm至约1μm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述纳米棒中的每一个具有大于长度(b)的宽度(a)。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其中所述纳米棒中的每一个具有10≤a/b≤1000的所述宽度(a)与所述长度(b)之比。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其中所述纳米棒中的每一个具有从约10nm到约100nm的所述长度(b)。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述阻挡层包含氧化锌。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其中所述基板是SUS不锈钢或金属薄膜基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280028352.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自保温电瓶
- 下一篇:一种循环性好的安全锂离子电池
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的