[发明专利]集成电路装置以及用于对该集成电路装置供电的方法

权利要求书

1.一种集成电路装置，其包括至少一个电力域以及低电压调节器，所述至少一个电力域具有真实接地连接和虚拟接地连接，其中：

该低电压调节器具有接地连接，耦合至电源电压的输入端，以及耦合至所述至少一个电力域中的晶体管且供应经调节电压至所述晶体管的输出端，该接地连接耦合至所述至少一个电力域的所述虚拟接地连接，其中在所述集成电路装置的低功率操作模式下，所述虚拟接地连接的电压相对于所述真实接地连接的电压上升；以及

其中，所述真实接地连接耦合至所述集成电路裸片的衬底，其中当所述虚拟接地连接的所述电压相对于所述真实接地连接的所述电压上升而足以在给定工艺技术中将漏电流降低至可接受水平时，所述低电压调节器的输出电压随着所述虚拟接地连接的所述电压上升。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中来自所述低电压调节器的所述经调节电压大致为用于逻辑的操作电压减去在所述虚拟接地连接处的足以在所述给定工艺技术中将所述漏电流降低至所述可接受水平的偏移电压。

3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中针对180纳米工艺技术，来自所述低电压调节器的所述经调节电压大致为1.2伏。

4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述虚拟接地连接的所述电压是用相对于所述真实接地连接的所述电压的足以在所述给定工艺技术中将漏电流降低至可接受水平的接地偏移电压予以上升。

5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中针对180纳米工艺技术，所述接地偏移电压约为0.6伏。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述低电压调节器的偏压电流约为100毫微安。

7.根据权利要求6所述的集成电路装置，其中所述衬底为以空穴作为多数载流子的p型衬底。

8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中所述虚拟接地连接耦合至在所述p型衬底中制造的n-mos晶体管的源极。

9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述低电压调节器用以在所述低功率操作模式期间对所述至少一个电力域供电。

10.根据前述任一项权利要求所述的集成电路装置，其进一步包含主要电压调节器，该

主要电压调节器具有可操作地耦合至功率供应电压的输入端，及提供经调节电压和接地连接的输出端，该输出端与真实接地连接耦合的；以及

开关单元，其可操作以：连接所述主要电压调节器的输入端或所述低电压调节器的输入端与所述功率供应电压，或者分别连接所述主要电压调节器的输出端或所述低电压调节器的输出端与所述集成电路装置的内部功率供应。

11.一种用于用低电压调节器对集成电路装置供电的方法，所述方法包含以下步骤：

耦合该低电压调节器的接地连接至该集成电路装置中的至少一个电力域的虚拟接地连接，耦合该低电压调节器的输入至电源电压，以及供应经调节电压至所述至少一个电力域中的晶体管；

将真实接地连接耦合至所述集成电路装置的衬底；以及

使所述虚拟接地连接的电压相对于所述真实接地连接的电压上升而足以在给定工艺技术中将漏电流降低至可接受水平，其中所述低电压调节器的输出电压随着所述虚拟接地连接的所述电压上升。

12.根据权利要求11所述的方法，其中来自所述低电压调节器的所述经调节电压大致为用于逻辑的正常操作电压减去在所述虚拟接地连接处的足以在所述给定工艺技术中将所述漏电流降低至所述可接受水平的偏移电压。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在上升步骤期间，通过足以在所述给定工艺技术中将漏电流降低至可接受水平的接地偏移电压执行所述虚拟接地连接的所述电压。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述低电压调节器的偏压电流约为100毫微安。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底为以空穴作为多数载流子的p型衬底。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述虚拟接地连接包含将在所述p型衬底中制造的n-mos晶体管的源极耦合至所述虚拟接地连接的步骤。

17.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含当所述虚拟接地连接的所述电压上升时用所述低电压调节器对所述至少一个电力域供电的步骤。