[发明专利]电抗器及其评价方法有效
申请号: | 201280010301.1 | 申请日: | 2012-04-04 |
公开(公告)号: | CN103403817A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 井上宪一;财津享司;桥本裕志;三谷宏幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | H01F27/24 | 分类号: | H01F27/24;H01F37/00;H01F41/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电抗 及其 评价 方法 | ||
1.一种电抗器,其特征在于包括:
空芯线圈,以带状导体部件的宽度方向沿着该线圈的轴向的方式卷绕该导体部件而形成;以及
磁芯,由在磁气上具有各向同性的材料形成,配置在所述空芯线圈的外侧,
所述磁芯包括:外周部,覆盖所述空芯线圈的外周的至少一部分;径部,覆盖所述空芯线圈的两端部的至少一部分;以及突起部,形成于所述径部的中央并伸入所述空芯线圈的空芯部,使磁通量通过,
在所述突起部的前端或其附近的截面积为S,所述突起部之间的间隙的长度即间隙长为g,所述间隙的导磁率为μ0,该电抗器的目标电感为L,所述空芯线圈中的带状导体部件的匝数为N,线圈电流为I时的所述间隙的中央点或其附近的平均磁通量密度为Bc的情况下,将理想匝数N0、有效间隙长ge以及有效突起基端部截面积Se分别定义为ge=μ0·N·I/Bc、Se=L·ge/μ0/N2并求出,并且求出定义为α=N/N0、β=ge/g、γ=Se/S的标准化参数α、β、γ,设定与磁芯以及突起部的材料的导磁率相对应的、所述匝数N、所述突起部的前端截面积S、所述突起部的高度、以及所述突起部的基底形状,使得满足α/β<1。
2.一种电抗器,其特征在于包括:
空芯线圈,以带状导体部件的宽度方向沿着该线圈的轴向的方式卷绕该导体部件而形成;以及
磁芯,由在磁气上具有各向同性的材料形成,配置在所述空芯线圈的外侧,
所述磁芯包括:外周部,覆盖所述空芯线圈的外周的至少一部分;径部,覆盖所述空芯线圈的两端部的至少一部分;以及突起部,形成于所述径部的中央并伸入所述空芯线圈的空芯部,使磁通量通过,
在所述突起部的前端或其附近的截面积为S,所述突起部之间的间隙的长度即间隙长为g,所述间隙的导磁率为μ0,该电抗器的目标电感为L,所述空芯线圈中的带状导体部件的匝数为N,线圈电流为I时的所述间隙的中央点或其附近的平均磁通量密度为Bc的情况下,将理想匝数N0、有效间隙长ge以及有效突起基端部截面积Se分别定义为ge=μ0·N·I/Bc、Se=L·ge/μ0/N2并求出,并且求出定义为α=N/N0、β=ge/g、γ=Se/S的标准化参数α、β、γ,在所述目标电感L恒定的条件下,设定与磁芯以及突起部的材料的导磁率相对应的、所述匝数N、所述突起部的前端截面积S、所述突起部的高度、以及所述突起部的基底形状,使得满足α·γ>1。
3.根据权利要求1或2所述的电抗器,其特征在于:
满足α/β<0.8或α·γ>1.25且1/2<α<2,1<β<2,1≤γ<3。
4.根据权利要求1或2所述的电抗器,其特征在于:
所述一对径部的对置面中,至少覆盖所述空芯线圈的端部的区域相互平行地形成,
所述带状导体部件的宽度方向被配置为与所述径部的面方向正交。
5.根据权利要求1或2所述的电抗器,其特征在于:
在所述空芯线圈的中心到外周的半径为R,所述带状导体部件的宽度为W的情况下,比R/W满足1.3以上且4以下的条件。
6.根据权利要求1或2所述的电抗器,其特征在于:
所述带状导体部件的厚度t对宽度W的比t/W满足1/10以下的条件。
7.根据权利要求1或2所述的电抗器,其特征在于:
所述带状导体部件的厚度t满足相对于该电抗器的驱动频率的趋肤厚度δ以下的条件。
8.根据权利要求1或2所述的电抗器,其特征在于:
在所述磁芯的相互对置的径部中,最内周侧的位置处的间隔为L1,最外周侧的位置处的间隔为L2,最内周位置到最外周位置的范围中的间隔的平均值为L3的情况下,将由((L1-L2)/L3)得到的值定义为平行度,该平行度的绝对值满足1/50以下的条件。
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