[发明专利]绝缘金属衬底

权利要求书

1.一种用于支撑装置的绝缘金属衬底(IMS)，所述IMS包括具有陶瓷涂层的金属衬底，所述陶瓷涂层至少部分地通过所述金属衬底的表面的一部分的氧化反应而形成，其中所述陶瓷涂层具有大于50KV mm^-1的介电强度和大于5W m^-1K^-1的热导率。

2.根据权利要求1所述的IMS，其中所述陶瓷涂层具有低于500微米的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的IMS，其中在所述陶瓷涂层的表面中所界定的细孔具有小于500纳米的平均直径。

4.一种用于支撑装置的绝缘金属衬底(IMS)，所述IMS包括具有陶瓷涂层的金属衬底，所述陶瓷涂层至少部分地通过所述金属衬底的表面的一部分的氧化反应而形成，其中所述涂层具有介于500纳米与500微米之间的厚度和具有小于500纳米的平均晶粒大小的结晶状结构，并且其中在所述涂层的表面中所界定的细孔具有小于500纳米的平均直径。

5.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中在所述陶瓷涂层的表面内所界定的细孔具有小于400纳米，优选小于300纳米或小于200纳米的平均直径。

6.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中所述陶瓷涂层具有介于50KV mm^-1与120KV mm^-1之间的介电强度和介于5W/mK与14W/mK之间的热导率。

7.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中所述陶瓷涂层具有大于7的介电常数。

8.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中所述陶瓷涂层包含具有小于250纳米，优选小于100纳米的平均大小的晶粒或微晶。

9.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其用于支撑选自由电子装置、光电装置、RF装置、微波装置或电气装置所组成的清单的一个或多个装置。

10.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中所述陶瓷涂层的所述厚度小于50微米，优选小于20微米或小于10微米。

11.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其支撑至少一个电子电路。

12.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中所述陶瓷涂层具有小于11微米的厚度、大于500V DC的击穿电压和小于0.02℃cm²/W的热阻，或其中所述陶瓷涂层具有小于31微米的厚度、大于1.5KV DC的击穿电压和小于0.07℃cm²/W的热阻。

13.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其进一步包括在所述陶瓷涂层的表面上形成的金属接触层。

14.根据权利要求13所述的IMS，其中所述金属接触层通过选自由以下所组成的清单的方法而形成：网版印刷、金属墨水印刷、无电金属化、电流金属化、金属箔的黏接、预制软性电路的接合、化学气相沉积(CVD)和等离子体气相沉积(PVD)金属化。

15.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中所述衬底的金属选自包括铝、镁、钛、锆、钽、铍或任意这些金属的合金或金属间化合物。

16.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中在所述涂层的至少一部分内的细孔由有机或非有机材料浸渍，例如其中所述细孔由聚酰亚胺、甲基丙烯酸酯、环氧树脂、密封玻璃或溶胶凝胶材料浸渍。

17.根据权利要求16所述的IMS，其中浸渍是通过选自由以下所组成的清单的方法来进行：浸渍、喷涂、真空密封、网版印刷、等离子体气相沉积和化学气相沉积。

18.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其包括将所述涂层的表面上所形成的接触层与所述金属衬底连接的金属热通孔。

19.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中金属接触层通过渗入所述陶瓷涂层的细孔中的热导性黏着剂而接合至所述陶瓷涂层，以便产生具增加的介电强度的复合层，优选其中所述热导性黏着剂为树脂、聚酰亚胺或氟聚合物。

20.根据前述权利要求中任一项所述的IMS，其中所述金属衬底为选自由以下所组成的组的衬底：板材、发光体或发光框、散热片、加热管以及液冷装置。