[发明专利]包含多重凹入外形的晶体管

权利要求书

1.一种晶体管，其包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一导电材料层；和

与所述第一导电材料层接触并位于其上的第二导电材料层，所述第二导电材料层包含凹入外形，所述第二导电材料层突出于所述第一导电材料层上。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其进一步包括：

保形地位于所述第二导电材料层、所述第一导电材料层和所述衬底的至少一部分上的电绝缘材料层。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其进一步包括：

保形于所述电绝缘材料层并与其接触的半导体材料层。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其进一步包括：

非保形地位于所述半导体材料层上并与其接触的第三导电材料层。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其进一步包括：

非保形地位于所述半导体材料层上并与其接触的第四导电材料层。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中所述第三导电材料层和所述第四导电材料层是相同材料层的不同非连续部分。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述衬底是柔性的。

8.一种致动半导体装置的方法，其包括：

提供晶体管，其包含：

衬底；

位于所述衬底上的第一导电材料层；和

与所述第一导电材料层接触并位于其上的第二导电材料层，所述第二导电材料层包含凹入外形，所述第二导电材料层突出于所述第一导电材料层上；

保形地位于所述第二导电材料层、所述第一导电材料层和所述衬底的至少一部分上的电绝缘材料层；

保形于所述电绝缘材料层并与其接触的半导体材料层；

非保形地位于所述半导体材料层的第一部分上并与其接触的第三导电材料层；

非保形地位于所述半导体材料层的第二部分上并与其接触的第四导电材料层；

在所述第三导电材料层与所述第四导电材料层之间施加电压；以及

对所述第一导电材料层施加电压，以使所述第三导电材料层与所述第四导电材料层电连接。

9.根据权利要求8所述的方法，所述第三导电材料层和所述第四导电材料层是相同材料层的不同部分，其中在所述第三导电材料层与所述第四导电材料层之间施加电压包含施加电压到所述相同材料层的不同非连续部分。

10.一种制造晶体管的方法，其包括：

提供依序包含第一导电材料层和第二导电材料层的衬底；

在所述第二导电材料层上沉积抗蚀剂材料层；

使所述抗蚀剂材料层图案化，以暴露所述第二导电材料层的一部分；

移除所述第二导电材料层的一些，以在所述第二导电材料层中产生凹入外形并暴露所述第一导电材料层的一部分；以及

通过移除所述第一导电材料层的一些，使所述第二导电材料层突出于所述第一导电材料层上。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

用电绝缘材料层保形涂布所述第二导电材料层、所述第一导电材料层和所述衬底的至少一部分。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：

用半导体材料层保形涂布所述电绝缘材料层。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

在所述半导体材料层的部分上定向沉积第三导电材料层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中在所述第二导电材料层上沉积所述抗蚀剂材料层与使所述抗蚀剂材料层图案化发生在同一工艺步骤中。

15.根据权利要求10所述的方法，其中移除所述第二导电材料层的一些以在所述第二导电材料层中产生凹入外形并暴露所述第一导电材料层的一部分包含使用等离子体蚀刻剂。

16.根据权利要求10所述的方法，其中通过移除所述第一导电材料层的一些使所述第二导电材料层突出于所述第一导电材料层上包含使用液体蚀刻剂。

17.根据权利要求10所述的方法，所述衬底包含第一层和第二层，所述方法进一步包括：

移除所述衬底的所述第二层。