[发明专利]层叠陶瓷电容器以及层叠陶瓷电容器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201280003104.7 申请日: 2012-02-09
公开(公告)号: CN103124706A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 松田真 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王玉玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 层叠 陶瓷 电容器 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种层叠陶瓷电容器,其特征在于,

是具备层叠体和多个外部电极的层叠陶瓷电容器,

所述层叠体具有具备晶粒和晶界的层叠而成的多层电介质层、和沿着所述电介质层间的界面形成的多个内部电极,

所述外部电极形成于所述层叠体的外表面且与所述内部电极电连接,

所述层叠体的组成是以含有Ba、Ti并且任意地含有Ca的钙钛矿型化合物作为主成分,还含有稀土类元素R、和Mn、Mg、V、Si,

将所述Ti设为100摩尔份时,

所述Ba与所述Ca的以100×m表示的总含量摩尔份满足0.950≤m<1.000,

所述R的含量a摩尔份为0.3≤a≤2.5,

所述Mn的含量b摩尔份为0.05≤b≤0.5,

所述Mg的含量c摩尔份为0.5≤c≤2.0,

所述V的含量d摩尔份为0.05≤d≤0.25,

所述Si的含量e摩尔份为0.5≤e≤3.0,

进而,Ca/(Ba+Ca)的摩尔比x为0≤x≤0.10,

进而,在距离所述晶粒的表面达4nm的内侧的位置的、所述稀土类元素R的存在概率为20%以上。

2.一种层叠陶瓷电容器,其特征在于,

是具备层叠体和多个外部电极的层叠陶瓷电容器,

所述层叠体具有具备晶粒和晶界的层叠而成的多层电介质层、和沿着所述电介质层间的界面形成的多个内部电极,所述外部电极形成于所述层叠体的外表面且与所述内部电极电连接,

所述层叠体的组成是将含有Ba、Ti并且任意地含有Ca的钙钛矿型化合物作为主成分,还含有稀土类元素R、和Mn、Mg、V、Si,

将利用溶剂溶解所述层叠体时的所述Ti设为100摩尔份时,

所述Ba与所述Ca的以100×m表示的总含量摩尔份满足0.950≤m<1000,

所述R的含量a摩尔份为0.3≤a≤2.5,

所述Mn的含量b摩尔份为0.05≤b≤0.5,

所述Mg的含量c摩尔份为0.5≤c≤2.0,

所述V的含量d摩尔份为0.05≤d≤0.25,

所述Si的含量e摩尔份为0.5≤e≤3.0,

进而,Ca/(Ba+Ca)的摩尔比x为0≤x≤0.10,

进而,在距离所述晶粒的表面达到4nm的内侧的位置的、所述稀土类元素R的存在概率为20%以上。

3.一种层叠陶瓷电容器,其特征在于,

是具备层叠体和多个外部电极的层叠陶瓷电容器,

所述层叠体具有具备晶粒和晶界的层叠而成的多层电介质层、和沿着所述电介质层间的界面形成的多个内部电极,

所述外部电极形成于所述层叠体的外表面且与所述内部电极电连接,

所述电介质层的组成是将含有Ba、Ti并且任意地含有Ca的钙钛矿型化合物作为主成分,还含有稀土类元素R、和Mn、Mg、V、Si,

将所述Ti设为100摩尔份时,

所述Ba与所述Ca的以100×m表示的总含量摩尔份满足0.950≤m<1.000,

所述R的含量a摩尔份为0.3≤a≤2.5,

所述Mn的含量b摩尔份为0.05≤b≤0.5,

所述Mg的含量c摩尔份为0.5≤c≤2.0,

所述V的含量d摩尔份为0.05≤d≤0.25,

所述Si的含量e摩尔份为0.5≤e≤3.0,

进而,Ca/(Ba+Ca)的摩尔比x为0≤x≤0.10,

进而,在距离所述晶粒的表面达4nm的内侧的位置的、所述稀土类元素R的存在概率为20%以上。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中,

所述电介质层的厚度为0.4μm以上1.5μm以下。

5.一种层叠陶瓷电容器的制造方法,其特征在于,具有:

准备将含有Ba、Ti并且任意地含有Ca的钙钛矿型化合物作为主成分的主成分粉末的工序,

准备稀土类元素R的化合物、和Mn化合物、Mg化合物、V化合物、Si化合物的工序,

对所述主成分粉末、所述稀土类元素R的化合物和所述Mn化合物、所述Mg化合物、所述V化合物、所述Si化合物进行混合,然后得到陶瓷浆料的工序,

由所述陶瓷浆料获得陶瓷生片的工序,

叠置所述陶瓷生片和内部电极层而得到烧成前的层叠体的工序,以及

对所述烧成前的层叠体进行烧成,得到在电介质层间形成有内部电极的层叠体的工序;

其中,

将所述Ti设为100摩尔份时,

所述Ba与所述Ca的以100×m表示的总含量摩尔份满足0.950≤m<1.000、

所述R的含量a摩尔份为0.3≤a≤2.5、

所述Mn的含量b摩尔份为0.05≤b≤0.5、

所述Mg的含量c摩尔份为0.5≤c≤2.0、

所述V的含量d摩尔份为0.05≤d≤0.25、

所述Si的含量e摩尔份为0.5≤e≤3.0,

进而,Ca/(Ba+Ca)的摩尔比x为0≤x≤0.10,

进而,所述电介质层具备晶粒和晶界,在距离所述晶粒的表面达4nm的内侧的位置的、所述稀土类元素R的存在概率为20%以上。

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