[实用新型]节省金丝的大功率LED结构

说明书

技术领域

本申请涉及一种能够节省金丝用量的大功率LED结构。

背景技术

目前1W大功率LED，是将芯片固定在铜柱上，然后用金丝将芯片正极与支架正极连接通来，芯片负极与支架负极连通起来，这样两极用的金丝一样多，从而金丝用量较大。

实用新型内容

针对现有技术中的问题，本实用新型提供一种节省金丝的大功率LED结构，包括：散热铜柱，金属支架电极，PPA塑料外体，LED芯片，金丝；LED芯片通过透明硅胶固定于散热铜柱表面，用金丝将LED芯片上的正电极与支架电极的正极连接在一起，用金丝将LED芯片上的负极与散热铜柱连在一起，而支架电极的负极与散热铜柱连接在一起，从而实现了LED芯片负极与支架电极的负极连通。

在本实用新型的技术方案中，由于铜柱与支架其中一个电极直接相导通，从而使芯片其中一个电极连接到支架电极上路径改成为芯片该电极直接连接到铜柱上，从而缩短了金丝长度，节省2/5金丝的用量。

附图说明

图1是现有技术LED结构剖面图；

图2是本申请所涉及的LED结构剖面图。

具体实施方式

一种节省金丝的大功率LED结构，包括：散热铜柱(1)，金属支架电极，PPA塑料外体，LED芯片(2)，金丝(3)；LED芯片(2)通过透明硅胶固定于散热铜柱(1)表面，用金丝(3)将LED芯片(2)上的正电极与支架电极的正极(4)连接在一起，用金丝将LED芯片上的负极与散热铜柱(1)连在一起，而支架电极的负极(5)与散热铜柱(1)连接在一起，从而实现了LED芯片(2)负极与支架电极的负极(5)连通。