[实用新型]硅晶片测试载板及硅晶片测试机台有效
| 申请号: | 201220720094.6 | 申请日: | 2012-12-24 |
| 公开(公告)号: | CN203179845U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
| 发明(设计)人: | 陈石矶 | 申请(专利权)人: | 标准科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 梁爱荣 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶片 测试 机台 | ||
技术领域
本实用新型有关于一种硅晶片测试机台,特别是有关于一种用配置有可替换式硅晶片测试载板的硅晶片测试机台。
背景技术
在半导体的制程中,通常需要进行检测硅晶片的步骤,其主要目的是要在切割半导体硅晶片(wafer)之前,先以导电性的探针(probe)对硅晶片上的每一晶粒(die)进行接触,用以进行导通检查,并检测不良品,此过程也称为硅晶片级测试(Wafer Level Test;WLT)。
在目前的硅晶片级测试过程中,都是使用探针直到与晶粒上的焊垫(pad)接触,以测试其电气特性并引出硅晶片信号,再配合周边测试仪器与软件控制达到自动化量测的目的;而不合格的晶粒会被标上记号,而后当硅晶片依晶粒为单位切割成独立的晶粒时,标有记号的不合格晶粒会被淘汰。然而,由于半导体硅晶片上形成有数百至数万个晶粒,所以测试一个半导体硅晶片时,需耗费相当多的时间,且在硅晶片数量增加时,亦会导致成本的上升。
为了解决前述WLT的问题点,目前已有在硅晶片测试机台上配置用数百至数万个探针,并使这些探针直接与半导体硅晶片上的所有晶粒、或半导体硅晶片上至少1/4至1/2左右的晶粒一次接触的FWLT(Full Wafer Level Test;全硅晶片级测试)的方法来进行硅晶片级测试。很明显地,利用FWLT,可更快速的做全硅晶片的检测,以简省制程的许多时间。
然而,因半导体硅晶片上形成有数百至数万个晶粒,于探针与晶粒上的焊垫多次且密集的接触后,其会在探针头上沾污污染物,而可能导致检测失效;故通常是通过定期的清针的方式来解决;然由于硅晶片测试是以时间来计算测试费用,故当需要时常清针时,除了会需耗费大量 的工时外,也会降低测试者的收益;另外,由于探针为非常细的针头,被探针接触的晶粒,会在晶粒上留下量测痕迹,可能造成无法分辨是否为新的硅晶片而影响晶粒的售价。
实用新型内容
为了解决上述所提到问题,本实用新型的一主要目的在于提供一种硅晶片测试载板,特别是一种可替换式的硅晶片测试载板,除了可以取代目前使用探针的针头直接与晶粒上的焊垫接触而不需随时进行清针的动作外,还可以根据不同硅晶片的测试需求而并可快速且方便地替换测试所需的相应的硅晶片测试载板,故可以增加硅晶片级测试的速度。
依据上述目的,本实用新型提供一种硅晶片测试载板,包括:一印刷电路板,具有一上表面及相对于上表面的一下表面,在印刷电路板的上表面上具有多个第一电性连接点,在印刷电路板的下表面上具有多个第二电性连接点,其所述第一电性连接点与所述第二电性连接点彼此相互电性连接;一弹性薄膜层,具有一上表面及相对于上表面的一下表面,在弹性薄膜层上具有多个由弹性薄膜层的上表面贯穿至弹性薄膜层的下表面的贯穿孔;多个金属材质,填入所述贯穿孔,位于所述贯穿孔的所述金属材质于弹性薄膜层的上表面形成多个上焊垫,于弹性薄膜层的下表面形成多个下焊垫;及一图案区,图案区具有一贯穿区,并于贯穿区的边缘延伸形成多个引脚,引脚与贯穿区的边缘的连接端形成一连接点,引脚于延伸于贯穿区的自由端形成一量测端;其中,弹性薄膜层连接印刷电路板的下表面,且所述第二电性连接点与所述上焊垫电性连接,而图案区连接弹性薄膜层的下表面,且所述下焊垫与所述连接点电性连接。
依据上述目的,本实用新型再提供一种硅晶片测试载板,包括:一印刷电路板,具有一上表面及相对于上表面的一下表面,在印刷电路板的上表面上具有多个第一电性连接点,在印刷电路板的下表面上具有多个第二电性连接点,其所述第一电性连接点与所述第二电性连接点彼此相互电性连接;一弹性薄膜层,具有一上表面及相对于上表面的一下表面,在弹性薄膜层上具有多个由弹性薄膜层的上表面贯穿至弹性薄膜层 的下表面的贯穿孔;多个金属材质,是填入所述贯穿孔,位于所述贯穿孔的所述金属材质于弹性薄膜层的上表面形成多个上焊垫,于弹性薄膜层的下表面形成多个下焊垫;及多个图案区,每图案区具有一贯穿区,并于贯穿区的边缘延伸形成多个引脚,引脚与贯穿区的边缘的连接端形成一连接点,引脚于延伸于贯穿区的自由端形成一量测端;其中,弹性薄膜层连接印刷电路板的下表面,且所述第二电性连接点与所述上焊垫电性连接,而所述图案区连接弹性薄膜层的下表面,且所述下焊垫与所述连接点电性连接。
其中,上述两种硅晶片测试载板,该弹性薄膜层为一高分子材料。
其中,该高分子材料为聚酰亚胺。
其中,上述两种硅晶片测试载板,该弹性薄膜层的所述贯穿孔是以蚀刻制程的方式形成。
其中,上述两种硅晶片测试载板,该金属材质是以沉积或电镀的制程填入所述贯穿孔。
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