[实用新型]具有高亮度高发光效率的外延生长结构有效
| 申请号： | 201220651700.3 | 申请日： | 2012-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN202957283U | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 钟玉煌;郭文平 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214111 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 亮度 发光 效率 外延 生长 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有高亮度高发光效率的外延生长结构，包括衬底（1）及生长于所述衬底（1）上的半导体发光结构，所述半导体发光结构包括生长于衬底（1）上的缓冲层（2），所述缓冲层（2）上生长有N型化合物半导体材料层（3），所述N型化合物半导体材料层（3）上生长有有源层（4）；其特征是：所述有源层（4）上生长有电子溢出阻挡层（5），所述电子溢出阻挡层（5）上生长P型化合物半导体材料层（6）。
2.根据权利要求1所述的具有高亮度高发光效率的外延生长结构，其特征是：所述电子溢出阻挡层（5）的厚度为10nm~200nm。
3.根据权利要求1所述的具有高亮度高发光效率的外延生长结构，其特征是：所述电子溢出阻挡层（5）为无掺杂的AlGaN和GaN形成的超晶格结构层。
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