[实用新型]真空处理装置的气体混合装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于真空处理装置的气体混合装置。

背景技术

等离子处理装置利用真空反应室的工作原理进行半导体基片和等离子平板的基片的加工。真空反应室的工作原理是在真空反应室中通入含有适当刻蚀剂源气体的反应气体，然后再对该真空反应室进行射频能量输入，以激活反应气体，来激发和维持等离子体，以便分别刻蚀基片表面上的材料层或在基片表面上淀积材料层，进而对半导体基片和等离子平板进行加工。

在半导体行业中，等离子体处理机台中通入的反应气体一般是通过调制气体与工艺气体混合所得，例如CVD或刻蚀机台等，但由于该两种气体流速不同，气压也就不同，在同时进入混合不同流速气体的装置时，流速高的工艺气体会将流速慢的调制气体始终挤压在气体混合通道的一侧，使得两种气体混合不够均匀、不够充分，导致刻蚀气体的浓度和质量不达标，从而影响对半导体工艺件的制程效果。

因此，业内需要一种能够将通入等离子体处理机台中的气体混合均匀的气体混合装置。

实用新型内容

针对背景技术中的上述问题，本实用新型提出了一种真空处理装置的气体混合装置。

本实用新型第一方面提供了一种用于真空处理装置的气体混合装置，其横向设置于所述真空处理装置的气体混合管道中，所述气体混合装置包括：

一叶轮，呈圆盘形；

若干个径向设置在叶轮的圆周部分的叶片，所述叶片的第一端的一部分连接于所述叶轮的圆周，第二端与所述气体混合管道贴合。

进一步地，所述叶片的第一端未连接于叶轮的圆周的部分与所述叶轮不在一个平面上。

进一步地，所述若干个叶片之间有重叠。

可选地，所述气体混合装置是一体成型的。

进一步地，所述气体混合装置还包括一驱动装置，所述驱动装置驱动所述叶片以叶轮的中心为轴进行转动。

进一步地，所述叶片的长度的取值范围为1mm~5mm。

进一步地，所述叶轮的直径的取值范围为1mm~5mm。

进一步地，所述叶片的材料为不锈钢，所述叶轮的材料为不锈钢。

进一步地，所述第一端连接于所述叶轮的圆周的长度的取值范围为0.3mm~4mm。

本实用新型第二方面提供了一种真空处理装置，所述真空处理装置包括本实用新型第一方面所述的气体混合装置。

本实用新型提供的真空处理装置的气体混合装置能够均匀地混合制程气体。

附图说明

图1是真空处理装置的结构示意图；

图2是气体混合装置的结构示意图；

图3（a）和图3（b）是根据本实用新型的一个具体实施例的气体混合装置的结构示意图。

其中，相同或相似的模块/装置/组件指示了相同或相似的模块/装置/组件。

具体实施方式

以下结合附图，对本实用新型的具体实施方式进行说明。