[实用新型]一种花片太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池，具体涉及一种花片太阳能电池。 

背景技术

晶硅太阳能电池片的制造工艺一般有如下几个步骤：化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结。多晶硅太阳能电池使用酸制绒工艺来进行表面织构化处理，形成多孔的崎岖表面，由于强酸对硅的腐蚀是各向同性的，多晶硅在腐蚀后的表面积/体积比是一致的，镀膜时气体沉积也是均匀的，最终产品也是膜厚为85nm左右蓝色电池。

近年来，太阳能产业在国内得到迅速发展，产能成倍扩张，同样的设备，同样的技术最终导致产品同质化严重。产能过剩和产品同质化严重不利于企业和行业的发展。

太阳能电池制造后，封装成组件，最终使用在大型光伏电站中或中小型建筑顶部。单一的蓝色调会影响建筑整体外观，也会给新建筑设计带来限制。多色彩，多形态的彩色组件和异形组件应运而生。 

发明内容

本实用新型的目的就是针对上述问题而提供一种新的彩色太阳能电池，具体涉及一种花片太阳能电池。该电池在多晶硅的表面上不同的晶粒表面上呈现出不同的颜色，花色沿着多晶硅本身的晶粒分布而变化，外观美观。

本实用新型的一种花片太阳能电池技术方案为：包括多晶硅片，硅片正面由内向外依次为PN结、颜色调制层和正面电极，背面依次为背面电场和背面电极；多晶硅正面根据表面粗糙度不同有不同厚度的颜色调制膜，在粗糙度高的晶粒表面上薄，在粗糙度低的表面上厚。

多晶硅片厚度100~250μm，PN结在多晶硅片的上表面厚度为100~300nm。

多晶硅上表面经过表面织构化处理，不同的晶粒上有不同的绒面形貌和粗糙度。

所述颜色调制层在硅片上表面，成分包括氧化物、氟化物、硫化物、氮化物、碲化物及硒化物中的至少一种构成。颜色调制层还有钝化多晶硅上表面和减反射的作用。

颜色调制层的厚度在10~500nm，且在不同晶粒上厚度不同，在粗糙度高的晶粒表面上较薄，在粗糙度低的晶粒表面上较厚。

背面电极是银浆、银铝浆或者是银电极和铝背场结合而成电极结构的一种。

本实用新型的有益效果是：一种花片太阳能电池，包括多晶硅片，硅片正面由内向外依次为PN结、颜色调制层和正面电极，背面依次为背面电场和背面电极；多晶硅正面根据表面粗糙度不同有不同厚度的颜色调制膜，在粗糙度高的晶粒表面上薄，在粗糙度低的表面上厚。该电池花色沿着多晶硅本身的晶粒分布而变化，外观美观。同时，通过调节镀膜厚度，电池的花色可以有很多变化，满足建筑一体化设计的要求。该电池制造成本与常规多晶硅电池接近，成本低而且工艺简单，具有优异的经济效益。

附图说明：

图1所示为本实用新型的花片太阳能电池的结构示意图。

图中，101. 硅片，102. PN结，103. 多晶硅表面粗糙度高的晶粒上的颜色调制膜，104. 多晶硅表面粗糙度低的晶粒上的颜色调制膜105. 正面电极，106. 背面电极，107. 背面电场。

具体实施方式：

为了更好地理解本实用新型，下面结合附图和实例来说明本实用新型的技术方案，但是本实用新型并不局限于此。

本实用新型的一种花片太阳能电池技术方案为：包括多晶硅片101，硅片正面由内向外依次为PN结102、颜色调制层和正面电极105，背面依次为背面电场107和背面电极106；多晶硅正面根据表面粗糙度不同有不同厚度的颜色调制膜，在粗糙度高的晶粒表面上薄，在粗糙度低的表面上厚。

多晶硅片101厚度100~250μm，PN结102在多晶硅片101的上表面厚度为100~300nm。

多晶硅上表面经过表面织构化处理，不同的晶粒上有不同的绒面形貌和粗糙度。

颜色调制层在硅片101上表面，成分包括氧化物、氟化物、硫化物、氮化物、碲化物及硒化物中的至少一种构成。颜色调制层还有钝化多晶硅上表面和减反射的作用。

颜色调制层的厚度在10~500nm，且在不同晶粒上厚度不同，在粗糙度高的晶粒表面上较薄，在粗糙度低的晶粒表面上较厚。

背面电极106是银浆、银铝浆或者是银电极和铝背场结合而成电极结构的一种。

本实用新型中颜色调制膜是一次制备的，本实用新型利用了多晶硅各向异性腐蚀的性质和镀膜时不同表面积/体积比镀膜速度不同这两个特点，造成了不同晶粒表面上颜色调制膜厚度不同而呈现不同颜色这一优异结果。