[实用新型]一种吸料工装及键合机有效
申请号: | 201220620067.1 | 申请日: | 2012-11-21 |
公开(公告)号: | CN202871765U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 任榕;邱颖霞;王姜伙;魏晓旻;金家富 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/60 |
代理公司: | 安徽汇朴律师事务所 34116 | 代理人: | 方荣肖 |
地址: | 230031 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 工装 键合机 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种工装及安装有该工装的键合机,尤其涉及一种用于多芯片微波模块自动键合的吸料工装及安装有该吸料工装的键合机。
背景技术
引线键合是在半导体芯片顶部焊区与混合集成电路和多芯片微波模块基板金属化层进行电气连接的主要方法。高密度集成电路的自动键合工艺中,键合过程是由自动键合机通过其吸料装置将待键合微波模块精确、高速地固定于管壳托盘的吸槽中,进行识别后实现高精度引线键合。
传统的吸料工装通常为单吸槽结构的管壳托盘,采用螺钉安装的方式固定到键合机工作台上。管壳托盘开设有若干吸槽,每个吸槽的底面为吸槽面,该吸槽面为一平面,每个吸槽位置中心开设一孔道,该孔道使该管壳托盘通过工作台与抽真空气道连接。当待键合模块接触吸槽面时通过孔道抽真空产生吸力将模块吸附在管壳托盘的吸槽上,待引线键合后释放真空,然后将模块取下。
随着半导体技术的进步与发展,批量化、多品种的多芯片微波模块自动键合给吸料装置提出了更高的要求,采用常规吸料装置进行键合生产的效率低,主要体现在:一方面,采用单吸槽结构设计的管壳托盘的吸料能力(吸料量)低,在批量模块键合工况下,更换模块时重新识别键合点、劈刀位置重新初始化等延长了键合准备时间,降低了批产键合的生产效率;另一方面,多品种微波模块的自动键合要求频繁更换管壳托盘,需重复拆卸安装螺钉,同样影响了自动键合生产效率,对产能的提高造成了障碍。
真空吸附漏气是待键合模块在全自动键合过程中影响键合精度的主要问题之一,对于真空吸附面不平整的微波模块,如管壳底部平面和引脚不在一个平面上的特殊微波模块,采用常规的管壳托盘进行真空吸附过程中容易造成漏气,并且随着吸孔数量的增加漏气率相应随之增加,无法保证自动键合的精度。
实用新型内容
通过背景技术可以得知:常规的吸料装置无法满足多品种、批量化及特殊底面结构微波模块的自动键合需求,在满足自动键合基本要求的情况下进一步增加吸料量、简化安装固定方式、改善吸槽真空吸附效果的组合装夹工装的设计与加工,构成本发明所需要解决的具体问题。
因此,本实用新型提供一种吸料工装及具有该吸料工装的键合机,该吸料工装为多芯片微波模块自动键合的可扩展吸料装置,可满足批量化、多品种自动键合对吸料装置吸料能力高、安装固定方式灵活以及特殊底面结构可靠真空吸附等特殊要求。
本实用新型是这样实现的,一种吸料工装,其包括管壳托盘,该管壳托盘开设有若干吸槽,每个吸槽的底壁开设有一个通孔,每个吸槽的底壁为吸槽面,每个吸槽的底壁开设有一个椭圆槽,每个通孔开设在相应的椭圆槽的底壁上。
其中,每个吸槽的底壁上设置有软性层。
其中,该椭圆槽设置在该吸槽的中心区域,该通孔设置在该椭圆槽的中心区域。
其中,该通孔与该椭圆槽的两长轴相切。
其中,该管壳托盘的侧壁开设有对称的两个夹取通道。
其中,该吸料工装还包括托架,该托架包括吸抓安装座以及安装在该吸抓安装座上的至少一个吸抓,该吸抓通过压在该管壳托盘表面定位该管壳托盘。
其中,该吸抓通过螺钉安装在该吸抓安装座上。
其中,该吸抓呈漏斗形,其截面较大的一端固定在该吸抓安装座上。
本实用新型还提供一种键合机,其安装有吸料工装,该吸料工装包括管壳托盘与托架,该管壳托盘开设有若干吸槽,每个吸槽的底壁开设有一个通孔,每个吸槽的底壁为吸槽面,每个吸槽的底壁开设有一个椭圆槽,每个通孔开设在相应的椭圆槽的底壁上。该托架包括吸抓安装座以及安装在该吸抓安装座上的至少一个吸抓,该吸抓通过压在管壳托盘表面定位该管壳托盘。
其中,该吸抓通过螺钉安装在该吸抓安装座上。
其中,该吸抓呈漏斗形,其截面较大的一端固定在该吸抓安装座上。
其中,该键合机包括工作台以及两个支座,该两个支座对称设置在该工作台的两侧,该吸抓安装座开设有若干安装孔,该吸抓安装座采用若干螺钉通过该若干安装孔固定在该两个支座上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造