[实用新型]光耦过流保护驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型的涉及驱动电路，特别是一种单电源供电的过流保护光耦驱动电路。

背景技术

绝缘门极双极型晶体管(Isolated Gate Bipolar Transistor简称IGBT)是复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件，具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好驱动电路简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等优点，因此现今应用日益广泛。但是IGBT 良好特性的发挥往往因其栅极驱动电路设计上的不合理，制约着IGBT的推广及应用。性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减少开关损耗，对装置的运行效率、可靠性、安全性都有重要的意义。但是在开关电源装置中，由于它工作在大电流的条件下，使得 IGBT 极容易损坏。

发明内容

本实用新型是针对上述问题，旨在提供一种在持续性的输出过载情况下的稳定可靠，具有过流保护功能的光耦驱动电路。

本实用新型的实现方式是: 主要由过流比较电路、反馈电路和信号恢复电路组成，其中过流保护电路由比较器U1A连电阻R3组成，反馈电路U2A、电阻R7、电阻R9与三极管Q3连接组成；信号恢复电路由开关S1、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、三极管Q1、三极管Q2 及电容C1连接组成。

本实用新型的有益技术效果是：当发生持续输出过载时，本实用新型中时比较器的输出由高电平转变为低电平，与非转换后输出高电平使Q3开通，过流信号变为低电平并自锁，且过流信号反馈给控制电路封锁驱动信号，从而保护了IGBT。同时当过流故障消失后，控制电路给出复位信号都使Q2导通，Q3重新截止，实现自动开启，提高整机安全性和工作效率。

附图说明

图1是本实用新型的原理框图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步说明。

参照图1，本实用新型主要由主要由过流比较电路、反馈电路和信号恢复电路组成，其中过流保护电路由比较器U1A连电阻R3组成，反馈电路U2A、电阻R7、电阻R9与三极管Q3连接组成；信号恢复电路由开关S1、电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、三极管Q1、三极管Q2 及电容C1连接组成。 

当发生过流故障时： 

当控制电路送来过流信号时，经过比较器U1A（可采用LM311）比较后输出低电平，经过与非门转换为高电平，促使三极管Q3开通，过流信号变为低电平并自锁，且过流信号反馈给控制电路封锁驱动信号，从而保护了IGBT。

当过流故障消除后： 

控制电路给出复位信号都使Q2导通，Q3重新截止，实现自动开启，提高整机安全性和工作效率。