[实用新型]多终点建立时间违规修复后的电路有效
申请号: | 201220598211.6 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN202976082U | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 李长征 | 申请(专利权)人: | 上海宇芯科技有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 卢刚 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 终点 建立 时间 违规 修复 电路 | ||
1.一种多终点建立时间违规修复后的电路,包含由寄存器和逻辑电路组成的至少两条时序路径,其特征在于:
所述各时序路径之间存在公共路径;所述公共路径上的电路器件的延迟时长小于预设门限;
所述各时序路径的非公共路径上仍存在允许减小延迟的电路器件。
2.根据权利要求1所述的多终点建立时间违规修复后的电路,其特征在于,
所述预设门限根据所述各时序路径的建立时长设置。
3.根据权利要求1所述的多终点建立时间违规修复后的电路,其特征在于,
所述各时序路径的非公共路径上分别存在的电路器件,与多终点建立时间违规修复前的电路中,各时序路径的非公共路径上分别存在的电路器件相同。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多终点建立时间违规修复后的电路,其特征在于,
所述时序路径的起点和终点均为寄存器。
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