[实用新型]晶体硅太阳能电池选择性印刷系统

说明书

技术领域

本实用新型是一种太阳能电池，特别涉及一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统。

背景技术

现有技术中的硅片上进行P型和N型掺杂，在两种掺杂的交界面区域里会有电势差，形成内建电场，即PN结。

当光照射到硅片正表面时，产生电子——空穴对，电子——空穴从正面穿过硅片到达背结，受背结内建电场的作用，电子流入N区，空穴流入P区，结果使N区储存了过剩的电子，P区有过剩的空穴。它们在PN结附近形成与势垒方向相反的光生电场。光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外，还使P区带正电，N区带负电，在N区和P区之间的薄层就产生电动势，这就是光生伏特效应。此时，如果将背电极和正电极接通外电路，则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流流过，此时电池片即可发电。

中国专利201010550829.0 ，公开一种晶体硅选择性发射极电池的印刷对位方法。该发明针对镭射掺杂选择性发射极晶体硅电池,提出的一种精准对位方法,其工序包括,减反射膜的制备,镭射掺杂及印刷对位基准点的制备,精准对位印刷。此对位方法，操作相对复杂，而且精准度相对不高。

发明内容

     本实用新型主要是解决现有技术中存在的不足，结构紧凑，提升聚光电站的光电转换率，提升设备利用效率的晶体硅太阳能电池选择性印刷系统。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

  一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，包括硅体，所述的硅体的背面设有呈间隔状连续分布的硼扩散区和磷扩散区，所述的硼扩散区中设有背电极栅线，所述的磷扩散区中设有正电极栅线，所述的硼扩散区与磷扩散区的左侧为背电极，所述的硼扩散区与磷扩散区的右侧为正电极。

    作为优选，所述的背电极与硼扩散区和磷扩散区相间隔分布，所述的正电极与硼扩散区和磷扩散区相间隔分布。

  作为优选，所述的硅体的折角为倒角。

    因此，本实用新型提供的晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，提升产品性能，提升光电转换率，节约能源。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。

  实施例：如图1所示，一种晶体硅太阳能电池选择性印刷系统，包括硅体1，所述的硅体1的背面设有呈间隔状连续分布的硼扩散区2和磷扩散区3，所述的硼扩散区2中设有背电极栅线4，所述的磷扩散区3中设有正电极栅线5，所述的硼扩散区2与磷扩散区3的左侧为背电极6，所述的硼扩散区2与磷扩散区3的右侧为正电极7。所述的背电极6与硼扩散区2和磷扩散区3相间隔分布，所述的正电极7与硼扩散区2和磷扩散区3相间隔分布。所述的硅体1的折角为倒角。