[实用新型]大功率器件封装使用的花式顶针有效
申请号: | 201220570709.1 | 申请日: | 2012-11-01 |
公开(公告)号: | CN202871768U | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 吴志勇 | 申请(专利权)人: | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人: | 唐纫兰;曾丹 |
地址: | 214421 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 器件 封装 使用 花式 顶针 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种大功率器件封装使用的花式顶针,属于半导体封装行业。
背景技术
目前,大功率器件MOS管(金属—绝缘体—半导体)装片粘合过程中主要使用具有一定角度的顶针将MOS管从有粘性的胶膜上分离。然而,大功率器件在晶圆制作后往往非常薄,主流圆片厚度为150um,部分甚至达到120um及80um,从实际生产过程中,传统的顶针存在非常大的作业隐患,经常会出现MOS管被顶针尖端顶裂的现象,从而导致MOS管出现物理损伤直接报废。尤其可怕的是MOS管在被顶裂后为隐裂,实际作业过程中作业员用肉眼无法直接发现,且部分在电性测试后易不能筛选出来,最终在终端客户使用后出现问题,如此往往会给封装行业带来非常大的损失。因此寻求一种在作业过程中不易将MOS管顶裂的大功率器件封装使用的顶针尤为重要。
发明内容
本实用新型的目的在于克服上述不足,提供一种在作业过程中不易将MOS管顶裂的大功率器件封装使用的花式顶针。
本实用新型的目的是这样实现的:
一种大功率器件封装使用的花式顶针,它包括针杆以及针杆端部的针头,其特征是所述针头的前端设置有三个针尖,所述三个针尖环形均匀布置于针头前端。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型由于针头的前端设置有三个针尖,使得在实际作业过程中,针头前端的应力得以分散,不易将MOS管顶裂。该大功率器件封装使用的花式顶针具有在作业过程中不易将MOS管顶裂,保证产品质量,降低安全隐患,减少损失的优点。
附图说明
图1为本实用新型大功率器件封装使用的花式顶针的结构示意图。
图2为图1的A向示意图。
其中:
针杆1
针头2
针尖3。
具体实施方式
参见图1和图2,本实用新型涉及的一种大功率器件封装使用的花式顶针,它包括针杆1以及针杆1端部的针头2,所述针头2的前端设置有三个针尖3,所述三个针尖3环形均匀布置于针头2前端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江阴苏阳电子股份有限公司,未经江阴苏阳电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220570709.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能集热储热放热器
- 下一篇:一种具有两种换热方式的热泵热水系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造