[实用新型]一种具有大加热面积的铟炉结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制程设备，特别是涉及一种具有大加热面积的铟炉结构。

背景技术

半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价结合，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。可见，在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

InF₃粉末作为一种掺杂源材料，在半导体掺杂制程中有着广泛的应用。常温下的InF₃粉末以固体的形态存在，但在半导体制程过程中，必须先将其转变成气态或等离子体才能进行掺杂等工艺。因此，需要先对InF₃粉末进行加热，一般来说，在半导体制程时要先将InF₃粉末加热至650~700℃。常用的加热方法是将InF3粉末置于加热炉中加热使其蒸发，一般的加热炉如图1所示，其包括一圆柱形的炉壁101，炉壁外部缠绕着大量的加热线圈102，一用于承载InF₃粉末106的炉底103，一具有出气口105的炉盖104。然而，这种加热炉的结构，由于加热炉是规整的圆柱形结构，这使得加热炉与InF₃粉末的接触面积过小，导致加热效率难以提高。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种具有大加热面积的铟炉结构，用于解决现有技术中加热面积过小导致加热效率难以提高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种具有大加热面积的铟炉结构，所述铟炉结构至少包括：

炉腔，包括一圆柱状的炉壁及一固定于该炉壁底部的炉底，所述炉壁内侧具有多个环绕该炉壁的环形凸起，且多个环形凸起之间具有预设间隔；

加热线圈，环绕于所述炉壁的外侧。

在本实用新型的具有大加热面积的铟炉结构中，所述炉腔还包括一固定于所述炉壁顶部的炉盖，且该炉盖中部具有出气孔。

在本实用新型的具有大加热面积的铟炉结构中，所述环形凸起的横截面为矩形截面。

作为本实用新型的具有大加热面积的铟炉结构的一个优选方案，所述矩形截面的长为3~8mm，宽为3~8mm。

进一步地，所述矩形截面的长为5mm，宽为5mm。

作为本实用新型的具有大加热面积的铟炉结构的一个优选方案，所述预设间隔为3~8mm。

进一步地，所述预设间隔为5mm。

如上所述，本实用新型提供一种具有大加热面积的铟炉结构，包括：炉腔，包括一圆柱状的炉壁及一固定于该炉壁底部的炉底，所述炉壁内侧具有多个环绕该炉壁的环形凸起，且多个环形凸起之间具有预设间隔；加热线圈，环绕于所述炉壁的外侧；炉盖，固定于所述炉壁顶部，且该炉盖中部具有出气孔。本实用新型具有以下有益效果：于炉壁内侧增加了多个环形凸起，可以有效的增加炉腔的发热面积，从而增加对炉腔内铟材料的加热面积，提供加热效率。

附图说明

图1显示为现有技术中铟炉的立体结构示意图。

图2显示为本实用新型的具有大加热面积的铟炉结构的立体结构示意图。