[实用新型]薄膜形成装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种薄膜形成装置，特别涉及一种在基板上形成防污膜的薄膜装置。

背景技术

提出了一种采用离子辅助蒸镀装置来形成用于防止显示面板等变脏的防污膜的技术（例如，参照专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文件1:日本特开2010-90454号公报（0029，0056～0066，图1，图2）

专利文献1的蒸镀装置在真空装置内具备：浅圆顶状的基板架；以面对基板架的内表面的方式配置于基板架的下方的离子枪；以及配置于该离子枪的两侧的一对蒸发源。专利文献1的形成防污膜的方法是采用该蒸镀装置，首先，使多个基板保持于基板架后，使该基板架在真空腔室内旋转。接下来，在维持该旋转的状态下，利用离子枪向全部的多个基板连续照射离子而在基板表面形成凹部。之后，通过使用离子枪的离子辅助蒸镀法等形成作为基底的膜时，由于基底膜形成于在前一处理中在基板表面形成的凹部上，所以成为在表面具有凹凸的基底膜。之后，通过真空蒸镀法形成防污性的膜。

根据专利文献1的防污膜的成膜方法，防污性膜形成于表面具有凹凸的基底膜上，因而，防污性膜也进入到凹部，即使在用擦拭布等擦拭污渍时，防污性膜的层也不容易被刮掉，防污性膜的层的耐磨损性被提高到能够耐实用的程度。

但是，近年来，期望防污性膜的耐磨损性及紧贴性的进一步提高，专利文献1的蒸镀装置中，针对离子枪的配置位置没有具体公开，未能设定使防污膜的紧贴性及耐磨损性达到最大的条件。

实用新型内容

本实用新型是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够形成耐磨损性及紧贴性最佳化的防污膜的薄膜形成装置。

上述课题通过以下装置解决：本实用新型的薄膜形成装置在真空容器内在基板的最表层形成防污性薄膜，所述薄膜形成装置具备：配设于所述真空容器内并保持多个所述基板的基板保持单元；使该基板保持单元旋转的旋转单元；面对所述基板而设置的至少一个蒸镀单元；以及对所述基板照射能量的能量源，所述能量源配置在处于如下范围的位置：所述基板保持单元的旋转中心和所述能量源的分离部的中心之间的垂直方向的距离H与所述基板保持单元的直径D之比H/D为0.25以上且0.50以下的范围。

这时，所述能量源优选为离子源。

而且，所述离子源优选配置于如下位置：针对全部的所述基板，离子束向保持于所述基板保持单元的所述基板入射的入射角的最大值为10°以上且80°以下的位置。

所述离子源对所述基板保持单元的离子照射范围优选为所述基板保持单元的与所述离子源面对的面的一部分。

所述离子源对所述基板保持单元的离子照射范围优选为至少一个所述蒸镀单元对所述基板保持单元的蒸镀范围的一部分。

（实用新型效果）

根据本实用新型，能够提供一种薄膜形成装置，在向基板表面照射离子的前处理工序中，获得洁净的基板表面，并高效率地形成凹凸，以提高薄膜在基板表面的附着性，所以能够形成耐磨损性及紧贴性优异的防污膜。

而且，离子源配置于如下位置：针对所有的基板，离子束向保持于基板保持单元的基板入射的入射角的最大值为10°以上且80°以下的位置，因此，在形成防污膜之前进行的前处理工序中，向基板表面照射离子时，能够在基板表面上高效率地进行蚀刻而形成洁净的表面和适当的凹凸部，能够提高在后续工序中形成的防污膜的紧贴性及耐磨损性。

而且，离子源配置于，基板保持单元的旋转中心和离子源的分离部的中心之间的铅直方向的距离H与所述基板保持单元的直径（D）之比H/D为0.50以下的位置，因此，离子源和基板之间的距离充分接近，容易对基板均匀地照射。其结果是，在形成防污膜之前进行的前处理工序中，向基板表面照射离子时，能够在基板表面上高效地进行蚀刻而形成适当的凹凸部，能够提高在后续工序中形成的防污膜的紧贴性及耐磨损性。

而且，离子源配置于，基板保持单元的旋转中心和离子源的分离部的中心之间的铅直方向的距离H与所述基板保持单元的直径（D）之比H/D为0.25以上的位置，因此，在形成防污膜之前进行的前处理工序中，向基板表面照射离子时，能够在基板表面上形成洁净的表面和均匀的凹凸部，能够提高在后续工序中形成的防污膜的紧贴性及耐磨损性。