[实用新型]薄膜形成装置有效
| 申请号： | 201220563784.5 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN202898525U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 宫内充祐;林达也;盐野一郎;姜友松;长江亦周 | 申请（专利权）人： | 株式会社新柯隆 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 党晓林;王小东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜形成装置，该薄膜形成装置在真空容器内在基板的最表层形成防污性薄膜，其特征在于，
所述薄膜形成装置具备：
配设于所述真空容器内并保持多个所述基板的基板保持单元；
使该基板保持单元旋转的旋转单元；
面对所述基板而设置的至少一个蒸镀单元；以及
对所述基板照射能量的能量源，
所述能量源配置在处于如下范围的位置：所述基板保持单元的旋转中心和所述能量源的分离部的中心之间的铅直方向的距离（H）与所述基板保持单元的直径（D）之比（H/D）为0.25以上且0.50以下的范围。
2.如权利要求1所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述能量源为离子源。
3.如权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述离子源配置于如下位置：针对全部的所述基板，离子束向保持于所述基板保持单元的所述基板入射的入射角的最大值为10°以上且80°以下的位置。
4.如权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述离子源对所述基板保持单元的离子照射范围是所述基板保持单元的与所述离子源面对的面的一部分。
5.如权利要求2所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述离子源对所述基板保持单元的离子照射范围是至少一个所述蒸镀单元对所述基板保持单元的蒸镀范围的一部分。
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