[实用新型]一种采用无石蜡掩膜主栅结构的SE电池的改进结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种采用无石蜡掩膜主栅结构的SE电池的改进结构，属于电池制造领域。

背景技术

SE电池的全称叫选择性发射极电池，其电池结构是在栅线下面（非受光区域）实现良好的电极接触特性，在非栅线覆盖的地方（受光区域）实现高的短波响应。SE电池的制备方法很多，有激光掺杂法，有二次扩散法，硅墨法，石蜡掩膜法等，其中石蜡掩膜法的制备工艺如下：

（1）制绒硅片形成光陷阱表面；

（2）在绒面上扩散掺杂形成PN结； 

（3）在扩散面上打印（或印刷）上起掩蔽作用的石蜡掩膜；

（4）利用化学液去除硅片周边和背面多余的PN结；

（5）在石蜡的掩蔽作用下，利用化学液对硅片表面进行刻蚀；

（6）去除石蜡掩膜；

（7）磷硅玻璃的去除；

（8）镀氮化硅膜；

（9）印刷背面电极和背场；

（10）在石蜡掩膜对应位置处印刷银电极；

（11）烧结，测试电性能；

其中步骤（3）中打印（或印刷）的石蜡掩膜图形和步骤（10）中正面银电极印刷的图形是一样的，打印（或印刷）图形中主要分细栅线和主栅线两种。

由于石蜡打印（或印刷）机台和丝印机台都有一定的工作精度，为了确保良好的电极接触性能，正面银电极印刷一定要印刷到打印的石蜡掩膜图形之内，且石蜡掩膜图形较印刷正面银电极图形稍大。

掩膜法制备SE电池虽然在效率上较常规电池有0.3%左右的提升，但其较常规电池的生产工艺多了打印（或印刷）石蜡和去除石蜡掩膜的工序，这两个工序中石蜡成本占比较大，在保证转换效率的情况下，尽可能的减少石蜡消耗量是石蜡掩膜法制备SE电池的工艺重点。石蜡耗量的减少有以下的一些途径：可以通过减少细栅的线宽来达到，石蜡掩膜图形的细栅宽度较印刷的正面银电极宽250 um左右，目前已经缩减到200 um；可以通过调整石蜡掩膜打印的图形分辨率来达到,分辨率越低，打印同样的石蜡图形，消耗的石蜡越少。减少石蜡掩膜图形细栅线宽有一个限度，也就是说石蜡掩膜图形的细栅最小宽度只能是印刷的银电极宽度加上机台的工作精度。石蜡掩膜图形细栅的宽度太小，正面印刷的细栅银电极将不能完全印刷在对应的打印石蜡的地方, 从而引起接触电阻升高，填充因子降低，从而对光电转换效率就有一定的影响。同样的，石蜡打印分辨率的调整也有一定的限度，分辨率过低导致打印的石蜡掩膜致密度降低，片子在经过后续的化学槽时，石蜡就不能起到完全的掩蔽作用，石蜡下方也可能被化学液体腐蚀，从而对光电转换效率就有一定的影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足，提供一种采用无石蜡掩膜主栅结构的SE电池的改进结构，该改进结构不但可以实现SE电池结构，还可以大量的减少石蜡耗量，光电转换效率不变，直接节省石蜡耗量10%以上。

本实用新型的目的通过下述技术方案实现：一种采用无石蜡掩膜主栅结构的SE电池的改进结构，包括硅片，所述硅片的表面外凸形成凸台，凸台包括回字形凸台和若干条相互平行的直线凸台，直线凸台设置在回字形凸台形成的密封区域内且直线凸台的两端均与回字形凸台连通；所述硅片的表面上设置有银电极，银电极设置在凸台顶面上，且银电极同时设置在回字形凸台形成的密封区域内部。

进一步地，所述直线凸台中每两根构成凸台单元，且凸台单元平行设置在硅片上，相邻的凸台单元之间的距离大于凸台单元内部的直线凸台的距离。

进一步地，所述设置在回字形凸台形成的密封区域内部的银电极与所有的直线凸台连接。

进一步地，所述银电极覆盖的直线凸台设置有缺口，且缺口的尺寸小于银电极的尺寸。设置缺口也减少了直线凸台的面积，对石蜡的使用量减少，实现了成本的降低。

进一步地，所述银电极的数量为两块。银电极区分为两部分，其中一部分贴合在直线凸台上，另一部分垂直于直线凸台，且同时贴合在直线凸台和硅片上。具体的数量不做限制，根据使用情况设定。

综上所述，本实用新型的有益效果是：该改进结构不但可以实现SE电池结构，还可以大量的减少石蜡耗量，光电转换效率不变，直接节省石蜡耗量10%以上。

附图说明

图1是实施例1的结构示意图；

图2是实施例2的结构示意图。

附图中标记及相应的零部件名称：1—硅片；2—回字形凸台；3—直线凸台；4—凸台单元；5—银电极。

具体实施方式