[实用新型]一种硅片测厚仪有效
| 申请号： | 201220446988.0 | 申请日： | 2012-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN202770361U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李宗懋;王丙宽;魏文秀;屈涛;胡洁;王鑫波 | 申请（专利权）人： | 天津英利新能源有限公司 |
| 主分类号： | G01B5/06 | 分类号： | G01B5/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 魏晓波 |
| 地址： | 301510 天津市滨海新区津汉公*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 测厚仪 | ||
1.一种硅片测厚仪，包括测量平台和支架，所述支架上设有用于测量硅片厚度的测量表，所述测量表与所述测量平台之间的距离可调，所述测量平台设有用于放置待测硅片的凸台，其特征在于，所述凸台的顶面具有凹陷结构。
2.如权利要求1所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述凸台为圆柱形凸台，且其顶面的外径为20-40mm。
3.如权利要求1所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述凹陷结构为多个凹孔，各个所述凹孔均与外部连通以形成通孔。
4.如权利要求3所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述通孔的个数为8-14个，且各个所述通孔在所述顶面上均布。
5.如权利要求1至4任一项所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述测量平台上还设有支撑板，所述支撑板的支撑面与所述凸台的顶面处于同一水平面内，以便共同支撑待测硅片。
6.如权利要求5所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述凸台和支撑板的边缘均具有呈一定坡度设置的缓冲面。
7.如权利要求6所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述缓冲面的坡度为45度。
8.如权利要求5所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述支撑板为外径在70-90mm之间的圆形板。
9.如权利要求6至8任一项所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述支撑板为偶数个，偶数个所述支撑板以所述凸台的中心线为轴对称设置。
10.如权利要求5所述的硅片测厚仪，其特征在于，所述支撑板为套装在所述凸台外部并且与其同轴设置的环形或者框形。
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