[实用新型]一种四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统

权利要求书

1.一种四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述系统包括氢化反应器和尾气处理设备，所述氢化反应器使反应气体和反应物料反应得到三氯氢硅，所述尾气处理设备将来自所述氢化反应器的合成尾气进行处理，所述尾气处理设备包括依次连接的气体过滤装置、冷凝装置以及分离塔，

其中，所述气体过滤装置内设有陶瓷滤芯，所述气体过滤装置用于将来自所述氢化反应器的合成尾气进行过滤后输送给所述冷凝装置，

所述冷凝装置用于将过滤后的合成尾气分离为液态的氯硅烷与气态的氢气，

所述分离塔将液态的氯硅烷进行分离提纯，得到三氯氢硅和富含四氯化硅的高沸物。

2.根据权利要求1所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述系统还包括：加压装置、混合器、预热炉，

其中，所述加压装置与所述冷凝装置的出气口连接以将所述冷凝装置中排出的气态氢气进行加压处理，混合器的进气口分别与所述加压装置的出气口和所述分离塔的排液口连接以将来自所述分离塔的富含四氯化硅的高沸物与来自所述加压装置的经过加压处理的气态氢气混合，得到混合气体并提供给所述预热炉，

所述预热炉分别与所述混合器的排气口和所述氢化反应器的进气口相连以将所述混合气体进行预热并提供给所述氢化反应器。

3.根据权利要求2所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述系统还包括干燥炉，所述干燥炉与所述氢化反应器的进料口相连以将所述反应物料进行混合并干燥。

4.根据权利要求1所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述冷凝装置包括依次连接的一级冷凝器，二级冷凝器和三级冷凝器。

5.根据权利要求1所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述气体过滤装置包括从上至下依次连接的上封头、直筒部和下封头，其中，

所述气体过滤装置的上部设有用于排出过滤后的气体的出气口且下部设有用于排出废渣的排渣口，

所述直筒部的下部设有用于向所述直筒内导入待过滤气体的进气口，且所述进气口的上方设有过滤部，所述过滤部包括设有通孔的花盘以及设在所述通孔中的陶瓷滤芯，

所述气体过滤装置还包括：

换热夹套，所述换热夹套设在所述直筒部的外部，所述换热夹套的下部设有换热介质进口且上部设有换热介质出口。

6.根据权利要求5所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述通孔为多个，所述多个通孔沿所述花盘的径向和轴向均匀分布，每个所述通孔内均设有所述陶瓷滤芯。

7.根据权利要求6所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述通孔和所述陶瓷滤芯的个数被设置成能够将所述气体的流速控制在0.01～0.2m/s。

8.根据权利要求5所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述陶瓷滤芯通过紧固件固定在所述花盘上，所述紧固件包括固定环和压盖，所述固定环焊接在所述花盘上且所述固定环的内孔与所述通孔相对应，所述压盖扣接在所述陶瓷滤芯的顶端且与所述固定环相连接以将所述陶瓷滤芯固定在所述通孔内。

9.根据权利要求5所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述陶瓷滤芯为氧化铝滤芯。

10.根据权利要求9所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述氧化铝滤芯的过滤精度为800～1500目。

11.根据权利要求5所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述直筒部内还设有进气环管和折流板，所述进气环管与所述进气口相连接，所述折流板位于所述陶瓷滤芯与所述进气环管之间。

12.根据权利要求11所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述进气环管上均匀地间隔设有多个出口，且所述折流板有多个，所述多个折流板沿所述直筒部的内壁螺旋上升且在所述直筒部的圆周方向上均匀分布。

13.根据权利要求5所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述直筒部上设有检修口，所述检修口位于所述过滤部的上方。

14.根据权利要求5所述的四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述出气口设在所述上封头的顶端且所述排渣口设在所述下封头的底端。