[实用新型]一种导电电极、薄膜晶体管、显示装置及半导体光电器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体生成技术领域，尤其涉及一种导电电极、薄膜晶体管、显示装置及半导体光电器件。

背景技术

在半导体器件生产技术中，尤其是对于光电子器件，电极材料的选择及应用一直是一个非常重要的研究课题。

通常，在电子器件电极的制备过程中，需要考虑电极的电学特性、光学特性以及电极与接触材料的界面特性等多方面因素，这就使得制备电极所采用的材料尤其重要。

目前，在薄膜晶体管（Thin Film Transistors，TFT）显示领域中，采用铟镓锌氧（IGZO）作为有源层的TFT得到广泛的应用，该TFT采用的电极主要有以下两种：一种为采用不透明的金属材料制成的电极，如附图1所示，例如电极采用钛/铜（Ti/Cu）、钛/金（Ti/Au）等金属材料制成；另一种为采用透明材料（如氧化铟锡（ITO）等）制成的透明电极，如附图2所示。

其中，采用不透明的金属材料制成的电极不适合用于透明显示，而采用透明的ITO制成的电极虽然可以用于透明TFT，但是透明材料制成的电极电阻较大，电学特性差。

由此可见，寻求一种电学和光学特性优异的透明导电电极非常重要。

实用新型内容

本实用新型提供一种导电电极、TFT及半导体光电器件，用以降低导电电极的电阻，减小功耗，提高导电电极的电学特性和光学特性。

本实用新型提供的具体技术方案如下：

一种导电电极，包括金属层和透明导电薄膜，所述透明导电薄膜至少设置在所述金属层的一侧表面上。

一种薄膜晶体管TFT，包括上述的导电电极。

一种显示装置，包括上述薄膜晶体管TFT。

一种半导体光电器件，包括上述的导电电极。

基于上述技术方案，通过本实施例提供的导电电极，该导电电极包括金属层和透明导电薄膜，且该透明导电薄膜设置在金属层上，从而在保证金属层和透明导电薄膜形成的导电电极透明的前提下，降低了该导电电极的电阻，从而实现了一种电学特性和光学特性优异的导电电极，并且，在将该导电电极用于TFT或半导体光电器件的电极时，可以有效降低功耗。

附图说明

图1为现有的采用金属材料制成的电极的TFT；

图2为现有的采用透明材料制成的电极的TFT；

图3为本实施例提供的导电电极的结构示意图；

图4为本实施例提供的包含两层金属层的导电电极结构示意图；

图5为本实施例提供的另一包含两层金属层的导电电极结构示意图；

图6为本实施例提供的TFT的结构示意图；

图7为本实施例提供的发光二极管的结构示意图；

图8为本实施例提供的太阳能电池的结构示意图。

具体实施方式

为了实现一种电学特性和光学特性优异的导电电极，本实用新型提供了一种导电电极，能够实现透明的导电电极，并且使得导电电极的电阻较小，以减小功耗。

下面结合附图对本实用新型所提供的优选的实施例进行详细说明。

如附图3所示为第一实施例提供的导电电极的横截面图，该实施例提供的的导电电极主要包括金属层301和透明导电薄膜302，其中，透明导电薄膜302设置在金属层301的上表面上。

较佳地，金属层的厚度范围为大于等于3纳米且小于等于20纳米，透明导电薄膜的厚度范围为大于等于3纳米且小于等于400纳米。通过将金属层的厚度限制在设定的范围内，可以保证金属层的在可见光区域的光透过率，使得导电电极可以用于透明TFT。同时，将透明导电薄膜的厚度限制在设定范围内，可以在保证导电电极在可见光区域的光透过滤率的同时，具有高导电率。

第一实施例提供的导电电极还可以是包括两层或两层以上的透明导电薄膜，且透明导电薄膜与金属层间隔层叠设置。

例如，如附图4所示的导电电极包括两层金属层301，每层金属层的上表面设置有透明导电薄膜302。

较佳地，在导电电极包含多层金属层时，位于顶层的金属层的上表面设置有透明导电薄膜和位于底层的金属层的下表面设置有透明导电薄膜。

例如，如附图5所示的导电电极包含两层金属层301，相邻两层金属层301之间有透明导电薄膜302，在位于顶层的金属层301上表面有透明导电薄膜302，且在位于底层的金属层301的下表面有透明导电薄膜302。