[实用新型]一种导电电极、薄膜晶体管、显示装置及半导体光电器件有效
| 申请号： | 201220356596.5 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN202685441U | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 孙建 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;H01L29/43;H01L29/786;H01L33/42;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 电极 薄膜晶体管 显示装置 半导体 光电 器件 | ||
1.一种导电电极，其特征在于，包括金属层和透明导电薄膜，所述透明导电薄膜至少设置在所述金属层的一侧表面上。
2.如权利要求1所述的导电电极，其特征在于，所述金属层的厚度范围为大于等于3纳米且小于等于20纳米；
所述透明导电薄膜的厚度范围为大于等于20纳米且小于等于400纳米。
3.如权利要求2所述的导电电极，其特征在于，包括两层或两层以上所述透明导电薄膜，所述透明导电薄膜与所述金属层间隔层叠设置。
4.如权利要求1-3任一项所述的导电电极，其特征在于，所述透明导电薄膜采用的材料为铟镓锌氧化物IGZO。
5.如权利要求1-3任一项所述的导电电极，其特征在于，所述金属层采用的材料为铜或金。
6.一种薄膜晶体管TFT，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的导电电极。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管TFT，其特征在于，所述薄膜晶体管的源极和漏极采用所述导电电极，所述导电电极设置于有源层上，且所述导电电极的透明导电薄膜与所述有源层接触，所述透明导电薄膜与所述有源层采用相同的材料制成。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管TFT，其特征在于，所述有源层以及所述导电电极的透明导电薄膜采用铟镓锌氧化物IGZO制成。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管TFT，其特征在于，所述薄膜晶体管TFT的栅极采用所述导电电极。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求6-9任一项所述的薄膜晶体管TFT。
11.一种半导体光电器件，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的导电电极。
12.如权利要求11所述的半导体光电器件，其特征在于，所述导电电极设置于所述半导体光电器件的P型层上，且所述导电电极的透明导电薄膜与所述P型层采用相同的材料；
或者，
所述导电电极设置于所述半导体光电器件的N型层上，且所述导电电极的透明导电薄膜与所述N型层采用相同的材料。
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