[实用新型]一种新型Chip LED器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体发光器件，尤其涉及一种新型Chip LED器件。 

背景技术

传统的Chip LED器件结构是以PCB电路板作为基板，金属作为导线支架，如图1所示，导线支架20从PCB基板10的侧边延伸至底部，分别形成侧电极和底部电极。该传统结构的LED器件的缺点较多，主要包括：1、结构复杂，制造过程复杂、成本高。2、LED器件的金属支架和pcb电路板由于结合力不足，容易导致金属支架在PCB电路板上脱落或者产生间隙，使外部的水汽通过间隙渗入LED芯片，导致LED芯片受损，增加产品的不良率和降低器件的可靠性。3、传统的ChipLED器件，由于PCB电路板的热导性不是很好，并且LED芯片和LED器件的电极不是垂直结构，不利于器件的散热。 

鉴于传统的Chip LED器件固有的缺陷，急需开发出一种结构简单，制作过程简单，器件气密性好，散热性好的的Chip LED器件。 

发明内容

本实用新型是采用如下技术方案来实现上述目的： 

一种新型Chip LED器件，包括金属基板，至少一个设置于金属基板上表面的LED芯片以及将金属基板、LED芯片一起包封的封装胶体；所述的金属基板包括至少一个芯片安放部以及至少两个电极部，所述的电极部之间通过所述的封装胶体实现电性绝缘，其特征在于，所述的金属基板底部还包括至少一个从所述金属基板底部表面向内凹陷的加强部，所述封装胶体填充加强部并与加强部外的封装胶体成一体结构。 

进一步的，所述芯片安放部与电极部为一体结构。 

进一步的，所述加强部设置在金属基板的侧边上。 

进一步的，所述的加强部设置在电极部的侧边上，呈“7”或者“倒L”状的台阶状凹陷结构，加强部的凹陷处填充有封装胶体，并与加强部外的封装胶体成一体结构。 

进一步的，所述金属基板底部只有电极部的底部暴露于封装胶体之外，形成底部电极结构。 

进一步的，在所述新型Chip LED器件的一对侧面分别保留电极部的外侧面露于封装胶体之外，形成侧电极。 

进一步的，所述侧电极上分别设置一个缺口，所述的缺口呈半圆柱体结构。所述加强部还可以设置在金属基板的电极部底部，是自电极部的底部向内凹陷 形成的凹槽结构，所述凹槽贯穿电极部的至少一个内侧面从而在该内侧面形成一个缺口，该缺口不跨到相邻侧面，缺口的宽度小于底部电极的内侧边宽度；封装胶体填充凹槽后，凹槽内的封装胶体通过缺口与电极部之外的封装胶体成一体结构。 

进一步的，所述加强部的凹槽还贯穿电极部的至少一个外侧面从而在该外侧面形成一个缺口，该缺口不跨到相邻侧面，缺口的宽度小于底部电极的外侧边宽度。 

进一步的，所述加强部形成的凹槽只贯通底部电极的内侧边从而在电极部的内侧面形成一个缺口，所述缺口的宽度小于底部电极侧边，所述缺口不跨到电极部的相邻侧面。 

进一步的，所述每个加强部形成的凹槽贯穿底部电极的一对侧边，从而在每个电极部的一对侧面分别形成一个缺口，所述缺口的宽度小于底部电极侧边，所述缺口不跨过电极部相邻侧面。 

进一步的，所述加强部的凹槽同时贯通电极部的两个对边从而在电极部的两对侧面分别形成一个缺口，所述缺口的宽度小于底部电极侧边，所述缺口不跨过电极部相邻侧面。 

本实用新型采用有以下优点： 

1、结构简单，制造成本低。 

2、金属基板的底部具有若干个加强部，该结构可以使封装胶体和金属基板紧密结合，提高了器件的气密性和可靠性。 

3、采用腐蚀技术形成的加强部，加大了注塑封装胶体时的封装胶体流道面积，使LED器件更容易成型，有利于小尺寸器件的设计。 

4、采用金属材料作为基板，LED芯片与器件电极为垂直结构，加快了LED器件的散热，有利于提高器件的寿命。 

5、同时具备底部电极和侧电极，器件焊接面积大，易于焊接，且不容易出现因为电极面积过小而造成断路现象。 

附图说明

图1为背景技术附图； 

图2为实施例一一种新型Chip LED器件的主视图示意图； 

图3为实施例一一种新型Chip LED器件的俯视图示意图； 

图4为实施例一一种新型Chip LED器件的仰视图示意图； 

图5为实施例二一种新型Chip LED器件的主视图示意图； 

图6为实施例二一种新型Chip LED器件的俯视图示意图；