[实用新型]晶片分片器有效
申请号: | 201220342339.6 | 申请日: | 2012-07-16 |
公开(公告)号: | CN202695399U | 公开(公告)日: | 2013-01-23 |
发明(设计)人: | 李汉生;吕亚明;蔡雪良;徐新华 | 申请(专利权)人: | 昆山中辰矽晶有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽;黄燕石 |
地址: | 215316 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 分片 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶片制造辅助工具技术领域,特别是一种晶片分片器。
背景技术
在硅抛光片等晶片的制造工艺过程中,要从晶片篮中取出晶片,晶片的取出方式是从晶片篮中隔一片取一片。行业内通用的晶片篮能装晶片25片,每片晶片搁置于晶片篮的槽内。取出晶片的方法都是用晶片吸笔从晶片篮中将目标晶片逐片取出,再放入另一个晶片篮相应晶片槽中。
现有的这种取晶片方式不仅速度慢,而且可能会在晶片上有留下吸笔印并可能污染晶片。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种晶片分片器,以期快速安全地取出晶片。
本实用新型采取的技术方案是:
一种晶片分片器,用于将第一晶片篮中的晶片一片隔一片地分至第二晶片篮中,其特征是,所述分片器包括底座以及在所述底座上竖立设置的分片板,所述底座的宽度不小于晶片篮的宽度,所述底座的长度不小于所述分片板的长度加上两个晶片篮的高度,所述分片板平行于所述底座的长边,在所述分片板上从上到下水平设置多个等间距的分片推臂,所述晶片篮包括上部开口和底部开口,所述晶片篮内设有纵向设置的多个晶片槽,所述多个晶片槽之间的间距相等,每个晶片槽均贯穿两端开口,所述分片板的厚度小于等于所述底部开口的宽度。所述晶片篮的上部开口大于晶片的尺寸,所述晶片篮的底部开口小于晶片的尺寸,所述分片推臂的高度小于所述晶片槽的槽宽,两个分片推臂的中心距离与所述第一晶片篮中第一个晶片和第三个晶片之间的间距相等,所述分片板上最下方的分片推臂的中心位置高度与所述晶片篮侧放在所述底座上时最下方第一个或第二个晶片槽内的晶片的高度相等。
进一步,所述晶片篮中的晶片槽个数为25个,所述分片板上的分片推臂个数为12个。
进一步,所述晶片篮中的晶片槽个数为25个,所述分片板上的分片推臂个数为13个。
本实用新型的有益效果是:
多个分片推臂将晶片篮中的多个晶片一次性取出。
附图说明
附图1为本实用新型的立体结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型晶片分片器的具体实施方式作详细说明。
晶片分片器用于将第一晶片篮中的晶片一片隔一片地分至第二晶片篮中,两个晶片篮为同样的结构,晶片篮包括上部开口和底部开口,在晶片篮内部设有纵向设置的多个晶片槽,晶片槽之间的间距相等,每个晶片槽均贯穿两端开口,晶片槽的形状和晶片的形状相对应,晶片的形状有圆形、方形或类方形等。晶片篮平行于晶片槽的两侧面为平面,两个侧平面用于平放在分片器上。晶片篮的上部开口大于晶片的尺寸,所述晶片篮的底部开口小于晶片的尺寸。
参见附图1,分片器包括底座1以及在底座1上竖立设置的分片板2,底座1为长方形,也可以设置成其它形状,只要便于在上面放置晶片篮即可。分片板2平行于所述底座的长边,分片板2的一端靠近底座1的宽边一侧。底座1的宽度不小于晶片篮的宽度,长度不小于分片板2的长度加上两个晶片篮的高度。在分片板2上从上到下水平设置多个等间距的分片推臂3,分片板2的厚度小于等于晶片篮的底部开口的宽度。分片推臂3的高度小于晶片篮晶片槽的槽宽,两个分片推臂3的中心距离与第一晶片篮中第一个晶片和第三个晶片之间的间距相等,分片板2上最下方的分片推臂3的中心位置高度与晶片篮侧放在底座1上时最下方第一个或第二个晶片槽内的晶片的高度相等。
现有的晶片篮中可装25个晶片,将分片板2的分片推臂的数量设为12个,将分片板2上最下方的分片推臂3的中心位置高度与晶片篮侧放在底座1上时最下方第二个晶片槽内的晶片的高度相等。分片时,将两个晶片篮(第一晶片篮和第二晶片篮)侧放在底座1上,使两个晶片篮的上部开口相对,将前面一个晶片篮(第一晶片篮)的底部开口对准分片推臂3,同时将两个晶片篮朝分片推臂3推入,分片推臂3将第一晶片篮中的偶数个晶片顶入第二晶片篮中。同理,可将分片板2的分片推臂的数量设为13个,将分片板2上最下方的分片推臂3的中心位置高度与晶片篮侧放在底座1上时最下方第一个晶片槽内的晶片的高度相等。分片时,分片推臂3将第一晶片篮中的奇数个晶片顶入第二晶片篮中。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造