[实用新型]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其具有：

半导体衬底，其具有第1主面以及第2主面并且还具有在所述第1主面上并行延伸的多个沟槽；射极电极，其配置在所述第1主面上；集电极电极，其配置在所述第2主面上；绝缘膜，其配置在所述沟槽的壁面上；栅极电极，其配置在所述沟槽中；以及层间绝缘膜，其形成在所述沟槽上方，并处于所述射极电极和所述沟槽间，其特征在于，

所述半导体衬底具有：

第1导电型的集电极区域，其配置成在所述第2主面上露出；

第2导电型的漂移区域，其配置在所述集电极区域的上方；

第1导电性的基极区域，其配置在所述第2导电型的漂移区域的上方；以及

第2导电型的射极区域，其邻接配置在与所述第1导电型的基极区域并且在所述第1主面上露出，

所述沟槽具有比从所述第1主面起到所述第1导电型的基极区域的下部更深的深度，

所述层间绝缘膜形成为由上段部构成的第1阶段和下段部构成的第2阶段所构成的凸形状，所述第1阶段的高度在所述层间绝缘膜的整体高度的1/3-2/3的范围内。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述层间绝缘膜的第1阶段的宽度形成为比沟槽的宽度宽。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述层间绝缘膜的第1阶段以及第2阶段的侧面形成的角度为90度以上的锥角。

4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

在所述沟槽间形成凹陷部，该凹陷部使得在所述沟槽上并行延伸的所述沟槽的壁面上，所述射极区域和所述第1导电型的基极区域露出，

所述凹陷部由第1凹陷部和第2凹陷部构成，所述凹陷部具有在所述第1凹陷部的底部的内侧设置有比所述第1凹陷部的宽度窄的第2凹陷部的结构。

5.根据权利要求4的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

所述第1凹陷部的底面的到第2凹陷部的区域中，形成有与所述半导体衬底的第1主面平行的平坦部。

6.根据权利要求5的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，

形成有在所述基极区域和所述漂移区域之间与所述漂移区域相接并且与所述漂移区域相比杂质浓度还高的介入层。

7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，在所述射极电极上，沿着所述沟槽的延伸方向连接接合引线。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述层间绝缘膜填充至所述沟槽的内部，所述层间绝缘膜的厚度在从所述射极区域的表面起到所述第2凹陷部为止的深度的0.5-3倍的范围内。