[实用新型]一种薄膜太阳能芯片有效
申请号: | 201220321366.5 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN202721143U | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 | 申请(专利权)人: | 广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省东莞市松山湖科技*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能 芯片 | ||
1.一种薄膜太阳能芯片,其特征在于:1.0微米标准厚度的铜铟镓硒薄膜层(3)电镀在1.0毫米标准厚度的玻璃基板上(1),中间有钼薄膜(2)所述铜铟镓硒薄膜层(3)上面镀有硫化镉薄膜层(4)、氧化锌绝缘层(5)和透明导电氧化锌参铝薄膜层(6),所述玻璃基板(1)内有光刻胶或其它绝缘体,还铺有金属电极薄膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能芯片,其特征在于:所述透明导电氧化锌参铝薄膜层(6)上镀镍(7)。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能芯片,其特征在于:所述镍(7)上有导电铝薄膜(8),该导电铝薄膜(8)上面加上一层保护镍薄膜(9)。
4.根据权利要求3所述的薄膜太阳能芯片,其特征在于:所述保护镍薄膜(9)上有钠钙覆盖玻璃(10)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的