[实用新型]跳闸控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种控制电路，具体讲是跳闸控制电路。

背景技术

目前有一种跳闸控制电路，终端产品根据采样用户功率，或者根据用户购电和用电情况来控制拉合闸，所述跳闸控制电路包括光耦前端控制部分和光耦后端跳闸部分，所述光耦前端控制部分包括第一限流电阻R4、电阻R5、三极管V2、第二限流电阻R1及光耦E1的发光二级管，第一限流电阻R4的一端分别与处理器的一个IO引脚、电阻R5的一端连接，电阻R5的另一端接地，第一限流电阻R4的另一端与三极管V2的基极连接，三极管V2的发射极接地，三极管V2的集电极与光耦E1的发光二级管的负极连接，光耦E1的发光二级管的正极与第二限流电阻R1的一端连接，第二限流电阻R1的另一端与电源连接，该跳闸控制电路通过处理器的IO口Switch 1A置高来控制光耦后端跳闸部分跳闸。

上述跳闸控制电路电路使用时，由于现场环境复杂，系统复位，数据信号线有可能受到干扰，或者出现程序跑飞情况都可能导致IO口Switch 1A置高，从而导致误跳闸。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供有效避免误跳闸的跳闸控制电路。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的跳闸控制电路，包括光耦前端控制部分、光耦后端控制部分，光耦前端控制部分包括第一限流电阻R4、三极管V2、第二限流电阻R1及光耦E1的发光二级管，第一限流电阻R4的一端与处理器的一个IO引脚连接，第一限流电阻R4的另一端与三极管V2的基极连接，三极管V2的发射极接地，三极管V2的集电极与光耦E1的发光二级管的负极连接，光耦E1的发光二级管的正极与第二限流电阻R1的一端连接，第二限流电阻R1的另一端与电源连接，该跳闸控制电路还包括位移寄存器控制部分，该位移控制寄存器控制部分由一个位移寄存器N602、第三限流电阻R6、第四限流电阻R8、三极管V4、三极管V3、电阻R5与电阻R7组成，位移寄存器N602的清零端、时钟端、输入端分别与处理器的IO引脚连接，清零端连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端接地，位移寄存器N602的一个输出端与第三限流电阻R6的一端连接，第三限流电阻R6的另一端分别与电阻R7的一端、三极管V4的基极连接，电阻R7的另一端接地，三极管V4的发射极接地，三极管V4的集电极分别与第四限流电阻R8的一端、三极管V3的基极连接，第四限流电阻R8的另一端连接电源，三极管V3的发射极接地，三极管V3的集电极与三极管V2的基极连接。

采用以上结构后，本实用新型与现有技术相比，具有以下的优点：

采用上述跳闸控制电路后，IO口Switch_1A置位前，移位寄存器必须经过一系列时序翻转后才能使V3三极管截止，此时IO口Switch_1A置高位跳闸生效增加产品可靠性，有效的避免了因现场环境复杂，系统复位，数据信号线受到干扰，或者出现程序跑飞导致IO口Switch_1A置高，从而导致误跳闸的现象发生。

作为改进，所述的位移寄存器N602为8位移位寄存器，位移寄存器N602的第八输出引脚与第三限流电阻R6的一端连接。

附图说明

图1是本实用新型跳闸控制电路的电路原理图。

其中，1、光耦前端控制部分；2、光耦后端跳闸部分；3、位移寄存器控制部分。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细地说明。