[实用新型]一种晶体硅太阳能电池片有效
| 申请号: | 201220248950.2 | 申请日: | 2012-05-29 |
| 公开(公告)号: | CN202601632U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
| 发明(设计)人: | 徐世贵;王立建 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/028 | 分类号: | H01L31/028;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
| 地址: | 214200 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,特别涉及一种晶体硅太阳能电池片。
背景技术
印刷电子浆料来制作太阳能电池的上下电极为目前常用的生产工艺。由于电子浆料的价格比较昂贵,因此如何降低丝网印刷过程中印刷不良的比例,成为太阳能电池生产过程中一个比较关键的因素。
由于丝网印刷机相机捕捉精度不高,在进行背电极以及背电场图形套印时往往存在印刷图形偏移的现象,偏移较大会导致背面露硅的现象,使得背面场钝化效果降低,同时偏移过大的图形需要擦拭重新进行印刷,增加了生产成本。
产生偏移时一般通过一边调试印刷参数,一边利用游标卡尺测量来进行矫正,调试的过程往往需要很长时间,且背电极和背电场的对准程度较差,影响了生产效率。
因此,如何提供一种晶体硅太阳能电池片,以降低晶体硅太阳能电池片背面印刷偏移的几率,降低晶体硅太阳能电池片擦拭的几率,进而提高晶体硅太阳能电池片的生产效率,成为本领域技术人员亟待解决的重要技术问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种晶体硅太阳能电池片,以降低晶体硅太阳能电池片背面印刷偏移的几率,降低晶体硅太阳能电池片擦拭的几率,进而提高晶体硅太阳能电池片的生产效率。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种晶体硅太阳能电池片,该晶体硅太阳能电池片的背面设置有对位标记,用于在印刷背电极或背电场的图形时进行定位。
优选的,所述对位标记通过丝网印刷设置在所述晶体硅太阳能电池片上。
优选的,所述对位标记设置在所述晶体硅太阳能电池片背面的边缘部分。
优选的,所述对位标记距离所述晶体硅太阳能电池片边缘的距离为1-2mm。
优选的,所述对位标记的具体数量为2-4个,分别设置在同所述背电极或背电场的图形相对应的位置。
优选的,所述对位标记的具体形状均为三角形。
优选的,所述对位标记的具体形状均为正方形。
优选的,所述对位标记的具体形状均为十字形。
优选的,所述对位标记的具体形状均为长方形。
优选的,所述对位标记的长为1-2mm,宽为1-2mm。
从上述的技术方案可以看出,本实用新型提供的晶体硅太阳能电池片,通过在背面设置对位标记,使背电极和背电场印刷时对位更准确,与现有技术的利用游标卡尺测量相比,由于提供了位置参照物,能够快速的判断偏移类型,有助于迅速调整印刷参数来解决印刷偏移,从而有效的降低不良片的比例,降低晶体硅太阳能电池片擦拭的几率,提高了晶体硅太阳能电池片的生产效率,降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的晶体硅太阳能电池片的结构示意图。
其中,1为对位标记,2为背电极,3为背电场,4为晶体硅太阳能电池片。
具体实施方式
本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池片,以降低晶体硅太阳能电池片背面印刷偏移的几率,降低晶体硅太阳能电池片擦拭的几率,进而提高晶体硅太阳能电池片的生产效率。
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,本实用新型实施例提供的晶体硅太阳能电池片,其核心改进在于,该晶体硅太阳能电池片4的背面设置有对位标记1,用于在印刷背电极2或背电场3的图形时进行定位。
与现有技术的利用游标卡尺测量的方法相比,本实用新型实施例提供的晶体硅太阳能电池片4,通过在背面设置对位标记1,使背电极2和背电场3印刷时对位更准确,由于对位标记1起到了位置参照物的作用,能够快速的判断偏移类型,有助于迅速调整印刷参数来解决印刷偏移,从而有效的降低不良片的比例,降低晶体硅太阳能电池片擦拭的几率,提高了生产效率,降低了生产成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





