[实用新型]一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构有效
申请号: | 201220240742.8 | 申请日: | 2012-05-27 |
公开(公告)号: | CN202712196U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 杨智;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 双面 太阳能电池 背面 电极 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构,属于太阳能应用技术领域。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在所有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,在所有的太阳能电池中,硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一,这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量,同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池,有着优异的电学性能和机械性能,硅太阳能电池在光伏领域占据着重要的地位。因此,研发高性价比的硅太阳能电池已经成为各国光伏企业的主要研究方向。
现有的硅太阳能电池采用的硅片基底主要包括P型和N型两种硅片。和以P型硅片为基底制造的太阳能电池相比,由于N型硅片中没有B-O复合对,以N型硅片为基底制造的太阳能电池没有明显的光衰减现象;并且N型硅片的少子寿命高于P型硅片,因此N型硅太阳能电池得到了越来越多的关注。
目前,以P型晶体硅为基底制作的MWT(Metal Wrap Through)太阳能电池可以比常规的P型晶体硅工业化电池有0.3%以上的效率绝对值提升。现有的P型晶体硅MWT太阳能电池的背面电极结构通常是整面的铝背场,但这种背面电极结构并不适用于双面受光结构的N型晶体硅MWT太阳能电池。因此,为了实现具有双面受光功能的N型晶体硅MWT太阳能电池,需要设计相适应的背电极结构。
发明内容
本实用新型目的是提供一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构,包括设于N型硅片背面的N电极和P电极;
所述N电极由至少2根平行的主栅线和至少40根平行的副栅线组成;所述主栅线与副栅线垂直相交;
所述P电极包括至少2个连接电极;各个连接电极处设有通孔,通孔内设有金属化浆料,其一端与硅片的正面电极结构连接,另一端构成所述连接电极;
所述N电极的主栅线和副栅线与P电极的连接电极之间相互绝缘。
上文中,优选的,所述P电极的连接电极有4排,每排4个连接电极;所述N、P电极交错分布于N型晶体硅太阳能电池的背面。
所述P电极的连接电极可以通过该连接电极处的孔内银浆与正面电极结构连接,通孔可由激光开孔的方法制作。上述N、P电极均可由丝网印刷的方法制备。
上述技术方案中,所述连接电极为圆形或矩形;连接电极的外围设有环形的绝缘区域,使所述N电极的主栅线和副栅线与P电极的连接电极之间相互绝缘。所述连接电极也可以采用现有的其他形状,优选为圆形或矩形。所述连接电极的外围设有环形的绝缘区域,也可以采用其他形状的绝缘区域。
上述技术方案中,所述N电极的主栅线为2~5根;所述副栅线为40~160根。
上述技术方案中,所述P电极的连接电极均布于硅片背面。
上述技术方案中,所述N电极的主栅线均布于硅片的背面。当然,所述主栅线也可以不采用均匀分布的结构。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有的优点是:
1、本实用新型设计了一种适用于N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构,其结构合理,工艺易于实现,成本较低,且具有良好的可操作性、实用性,适于推广应用。
2、本实用新型将N型晶体硅太阳能电池的正面P电极引到背面,与背面N电极一起构成背面电极结构,从而减少了N型晶体硅太阳能电池正面的遮光率,增加了电池对正面入射光的吸收和光电转换效率。
3、本实用新型在实现以N型晶体硅为基底的MWT太阳能电池的基础上,仍然维持了电池的双面受光特性。
附图说明
附图1为本实用新型实施例一的结构示意图;
附图2为本实用新型实施例二的结构示意图;
附图3为本实用新型实施例三的结构示意图。
其中:1、主栅线;2、副栅线;3、连接电极;4、绝缘区域。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一
参见图1所示,一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构,包括设于N型硅片背面的N电极和P电极;
所述N电极呈线阵排列,由3根平行的主栅线1和80根平行的副栅线2组成;所述主栅线与副栅线垂直相交;所述3根主栅线1均布于硅片背面;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的