[实用新型]一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构有效
| 申请号： | 201220240742.8 | 申请日： | 2012-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN202712196U | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 杨智;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 接触 双面 太阳能电池 背面 电极 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，其特征在于：包括设于N型硅片背面的N电极和P电极；
所述N电极由至少2根平行的主栅线(1)和至少40根平行的副栅线(2)组成；所述主栅线与副栅线垂直相交；
所述P电极包括至少2个连接电极(3)；各个连接电极处设有通孔，通孔内设有金属化浆料，其一端与硅片的正面电极结构连接，另一端与所述连接电极连接；
所述N电极的主栅线和副栅线与P电极的连接电极之间相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，其特征在于：所述连接电极为圆形或矩形；连接电极的外围设有环形的绝缘区域(4)，使所述N电极的主栅线和副栅线与P电极的连接电极之间相互绝缘。
3.根据权利要求1所述的N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，其特征在于：所述N电极的主栅线为2~5根；所述副栅线为40~160根。
4.根据权利要求1所述的N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，其特征在于：所述P电极的连接电极均布于硅片背面。
5.根据权利要求1所述的N型背接触双面太阳能电池的背面电极结构，其特征在于：所述N电极的主栅线均布于硅片的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
