[实用新型]一种电容触控屏

说明书

技术领域

本实用新型涉及电容触控屏结构。

背景技术

目前市场上生产的触控屏主要是电容触控屏，它主要分为表面式和投射式两种，其中投射式又称感应电容触控屏，电容触控屏机械结构简单，且无需人工校正，采用矩阵结构，精确度很高，非常适合在便携式电子产品上使用。因此电容触摸屏占据了市场的主要份额，电容触摸屏其昂贵的生产成本成为竞争的主要原因，为了减少生产成本，在原料价格不变的情况下，减少制程，提供有效产出成为减低成本的最大关键。

在电容触控屏制程中，主要分为两种制成结构：

双面（DITO）结构的产品功能更好,结构更牢固。可靠性优秀。但缺点在制成难度高。专利容易冲突；

参见图2，单面（SITO）结构成熟，制成简单，但缺点在jumper大小，整体参数不易控制.外观在某种意义上达不到客户要求（外观会存在跳跃导体图层眩光产生“麻点”现象）。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是实现一种无“麻点”现象的单面（SITO）电容触控屏结构，以及这种电容触控屏的生产工艺。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种电容触控屏，包括基板，布置于基板上的ITO图层，覆盖于ITO图层外的绝缘架桥层，以及覆盖于绝缘架桥层上方的跳跃导体图层，所述的跳跃导体图层上方覆盖有用于遮挡金属跳跃导体图层眩光的黑膜图层。

所述的ITO图层、绝缘架桥层、跳跃导体图层和黑膜图层的图案结构相同并相互重叠。

所述的黑膜图层上覆盖树脂保护层，所述的基板背面依次设有防静电ITO层和二氧化硅保护层。

本实用新型的优点在于利用该生产工艺制作触摸屏的做黑膜（BM）制成曝光后只蚀刻不剥膜，既能达到低眩光，又能减少一道金属光刻制程和剥离制程，提高产出良率。同时该电容触控屏结构利用黑膜（BM）来遮挡跳跃导体图层产生的高眩光，提高了外观水平。

附图说明

下面对本实用新型说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：

图1为本实用新型电容触控屏剖视图；

图2为传统工艺电容触控屏剖视图；

上述图中的标记均为：1、黑膜图层；2、树脂保护层；3、跳跃导体图层；4、绝缘架桥层；5、ITO图层；6、基板；7、防静电ITO层；8、二氧化硅保护层；9、金属线路。

具体实施方式

参见图1可知，电容触控屏设有玻璃基板6，基板一面设有ITO图层5，基板6该面四周围有金属线路9，在ITO图层每条线路外包裹有POC绝缘架桥层4，绝缘架桥层4外覆盖有跳跃导体图层3，跳跃导体图层3可采用ITO或者金属导电材料作为涂层，在跳跃导体图层3外还覆盖有黑膜（BM）图层1，该黑膜图层1用来遮挡金属（mo/al/mo）跳跃导体带来的眩光。上述I TO图层5、绝缘架桥层4、跳跃导体图层3和黑膜图层1的图案结构相同并相互重叠构成电容触控屏的触控部。且跳跃导体图层3和黑膜图层1的图案完全重叠，零偏移，有利高效的完全遮挡金属（mo/al/mo）跳跃导体带来的眩光。在触控部覆盖树脂保护层2，基板6背面依次设有防静电ITO层7和二氧化硅保护层8。

上述电容触控屏的触控部制造工艺如下：

a、采用真空磁控溅射方法镀制ITO膜；

b、之后制作ITO图层5，这里制作ITO图层5为常规手段，即采用触控屏的触控部黄光光刻技术，对ITO膜进行涂布，烘烤，曝光、显影，蚀刻，剥离工艺处理，制作成ITO图层5；

c、之后在ITO图层5上制作一层绝缘架桥层4，这里制作缘架桥层4也是常规手段，即采用触控屏的触控部黄光光刻技术，依次进行涂布，烘烤，曝光、显影，硬烤工艺处理，制作绝缘架桥层4；

d、之后利用真空磁控溅射镀膜机在制作好的绝缘架桥层4外镀一层金属导电材料或ITO材料，并在上述金属导电材料或ITO材料外涂一层黑膜，然后使用传统工艺中制作跳跃导体图层3的掩膜板，并利用触控屏的触控部黄光光刻技术，将这层导电材料和黑膜制一起做成所需图形，即制成跳跃导体图层3和黑膜图层1。该黄光光刻技术包括涂布，烘烤，曝光、显影，蚀刻，仅去除跳跃导体图层3传统制作工艺中的剥离工艺，其他黄光光刻技术工艺步骤与制作跳跃导体图层3传统制作工艺相同，将原先两个图层制作工序合二为一，从而节约了制作步骤，也提高了产品质量。