[实用新型]一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能电池的镀膜设备，具体涉及一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备。 

背景技术

在各种硅太阳电池中，晶体硅电池一直占据着最重要的地位 近年来，增加设备产能一直是设备开发者追求的目标。板式镀膜设备主要依靠增加反应腔室的长度和宽度来增加产能，但是增加反应腔室的长度和宽度会造成更加庞大的设备，且更大的镀膜面积导致片间均匀性更加不稳定，大大增加设备制造难度及成本。 

发明内容

本实用新型的目的就是针对上述问题而提出的一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备，可以同时对上下两层硅片进行减反射膜制备，在不增加反应腔室长度和宽度的情况下使得产能翻倍，适用于产业化生产。

本实用新型的一种晶体硅太阳能电池镀膜设备技术方案为，包括反应腔室和硅片载板，硅片载板为双层硅片载板位于反应腔室中部，另外还包括反应腔室上方的上进气孔，下方的下进气孔，反应腔室两侧的排气孔，硅片载板上方的上等离子源及硅片载板下方的下等离子源，与排气孔外接的真空泵和均匀分布在在反应腔室上下内表面的加热装置。

双层硅片载板为石墨板，分为上载板和下载板，上载板设有与硅片形状一致的均匀镂空，镂空大小略小于硅片，镂空上方承载硅片，用此载板可以对硅片上表面进行减反射膜制备；下载板均匀镂空，镂空形状与硅片形状一致，镂空大小略大于硅片，在下载板下边缘设置挂钩，硅片水平置于挂钩上，用此载板可以对硅片下表面进行减反射膜制备。

上等离子源位于硅片载板上方，下等离子源位于硅片载板下方，上下等离子源均可单独控制，可根据工艺情况分别调整其工艺参数。

上进气孔位于硅片载板以及上等离子源上方，下进气孔位于硅片载板以及下等离子源下方，上下进气孔可单独控制，可以通入不同的气体及气体流量。

排气孔位于反应腔室侧面，与硅片载板处于同一水平面，硅片载板上方和下方反应产生的气体均从排气孔排出，排气孔外接真空泵，以保证反应腔室一定的真空度。

该晶体硅太阳能电池镀膜设备对硅片上表面镀膜的反应流程为：镀膜工艺进行时，加热装置将腔体温度加热至所需温度，反应气体通过上进气孔进入反应腔室，上等离子源对反应气体进行解离，解离状态下气体将发生反应，镀制在双层硅片载板上载板的硅片上表面，真空泵将反应废气通过排气孔抽走，并保证反应腔室的真空度。

该晶体硅太阳能电池镀膜设备对硅片下表面镀膜的反应流程为：镀膜工艺进行时，加热装置将腔体温度加热至所需温度，反应气体通过下进气孔进入反应腔室，下等离子源对反应气体进行解离，解离状态下气体将发生反应，镀制在双层硅片载板下载板的硅片下表面，真空泵将反应废气通过排气孔抽走，并保证反应腔室的真空度。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种晶体硅太阳能电池镀膜设备，包括反应腔室和硅片载板，硅片载板为双层硅片载板，另外还包括上进气孔，下进气孔，排气孔，上等离子源及下等离子源，真空泵和加热装置。

双层硅片载板上、下载板均设有与硅片形状一致的均匀镂空，上载板镂空大小略小于硅片，镂空上方承载硅片，用此载板可以对硅片上表面进行减反射膜制备；下载板镂空大小略大于硅片，在下载板下边缘设置挂钩，硅片水平置于挂钩上，用此载板可以对硅片下表面进行减反射膜制备。

上进气孔位于硅片载板以及上等离子源上方，下进气孔位于硅片载板以及下等离子源下方，上、下进气孔，上、下等离子源均可单独控制，根据工艺情况分别调整其工艺参数，通入不同的气体及气体流量。

排气孔位于反应腔室侧面，与硅片载板处于同一水平面，硅片载板上方和下方反应产生的气体均从排气孔排出，排气孔外接真空泵，以保证反应腔室一定的真空度。

使用该设备可以同时对上下两层硅片进行减反射膜制备，在不增加反应腔室长度和宽度的情况下使得产能翻倍，每层石墨板可放置硅片五排九列，双层硅片镀膜一次可以实现5*9*2（五排九列两层）共90片硅片的镀膜，在相同的时间内实现了产能翻倍，适用于产业化生产。

附图说明：

图1所示为本实用新型的垂直剖面图；

图2所示为上载板设计；

图3所示为下载板设计。

图中，1.上进气孔，2.下进气孔，3.排气孔，4.加热装置，5.上等离子源，6. 下等离子源，7. 上载板，8.下载板， 9.硅片，10. 反应腔室，11. 挂钩，12.真空泵。

具体实施方式：