[实用新型]一种LED芯片有效

申请号：	201220199587.X	申请日：	2012-05-03
公开（公告）号：	CN202712249U	公开（公告）日：	2013-01-30
发明（设计）人：	张昊翔;封飞飞;金豫浙;万远涛;高耀辉;李东昇;江忠永	申请（专利权）人：	杭州士兰明芯科技有限公司
主分类号：	H01L33/14	分类号：	H01L33/14;H01L33/10
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	郑玮
地址：	310018 浙江省杭州市杭***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	一种 led 芯片
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【权利要求书】：

1.一种LED芯片，其特征在于，至少包括：

外延层，所述外延层包括N型层、位于所述N型层上的发光层、及位于所述发光层上的P型层；

金属功能层，所述金属功能层位于所述P型层上；

银迁移阻挡层，所述银迁移阻挡层位于所述P型层上，且位于所述金属功能层外围。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述金属功能层包含有依次形成于P型层表面的P型接触层、反射镜层或P型接触层、反射镜层和防扩散层。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的LED芯片，其特征在于：位于外延层相反的金属功能层和银迁移阻挡层的表面依次形成有第一键合层和第二键合层，位于第二键合层表面形成有基板，位于所述基板表面形成有P型焊盘，位于所述N型层表面制作有N型焊盘；在所述P型层表面正对于所述N型焊盘部位形成有贯穿金属功能层的电流阻挡层。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述N型层为表面粗化的N型层。

5.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层使用的材料为绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛中的一种。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层的厚度为100nm-10000nm。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于：所述反射镜层的厚度为50nm-500nm。

9.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸等于LED芯片边框尺寸。

10.根据权利要求9所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸为200μm-20mm。

11.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层的内框尺寸等于反射镜层边框尺寸。

12.根据权利要求11所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层的内框尺寸为200μm-20mm。

13.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸等于LED芯片边框尺寸，其内框尺寸等于反射镜层边框尺寸。

14.根据权利要求13所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层的外框尺寸和内框尺寸差为5μm-200μm。

15.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于：所述银迁移阻挡层外框和内框形状为正方形、长方形、圆形、或多边形中的一种或组合。