[实用新型]一种连续制备二维纳米薄膜的设备

权利要求书

1.一种连续制备二维纳米薄膜的设备，包括进料腔室(4)，样品制备腔室(7)，出料腔室(12)，其特征在于：

所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)均设有样品传送装置；

所述的进料腔室(4)设有与大气相通的阀门(31)，进料腔室(4)与样品制备腔室(7)之间设有阀门(32)，样品制备腔室(7)与出料腔室(12)之间设有阀门(33)，出料腔室(12)设有与大气相通的阀门(34)；

所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中至少有一个腔室设有加热装置；

所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)分别连接独立的抽真空装置；

所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一个腔室设有一个或多个气体连接口。

2.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12)中的至少一个腔室设有化学气相沉积系统。

3.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12) 中的至少一个腔室设有物理气相沉积系统。

4.根据权利要求3所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的物理气相沉积系统为溅射靶薄膜沉积系统、电子枪沉积系统、离子枪沉积系统、离子注入沉积系统和热蒸镀系统中的任意一种或二种以上的组合。

5.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12) 中的至少一个腔室的温度控制在20 ~1600 oC。

6.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12) 中的至少一个腔室的腔壁设有冷却系统(8)。

7.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的进料腔室(4)、样品制备腔室(7)和出料腔室(12) 中的至少一个腔室内设有热屏蔽系统(9)。

8.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于它还设有控制系统，所述的控制系统包括样品传送控制系统、气路控制系统、真空控制系统、阀门控制系统或温度控制系统中的任意一种或二种以上的组合。

9.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的样品传送装置包括滚轮、皮带轮和传送带中的任意一种或二种以上的组合。

10.根据权利要求1所述的连续制备二维纳米薄膜的设备，其特征在于所述的二维纳米薄膜包括石墨烯、过镀金属硫化物、硅烯、锗烯或氮化硼。