[实用新型]基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器有效
| 申请号： | 201220130543.1 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN202582773U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 游龙;刘洪鲜;邓永兵;刘海洲;陈建华 | 申请（专利权）人： | 郑州方兴机械电子有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/16 | 分类号： | G01K7/16 |
| 代理公司： | 北京鑫浩联德专利代理事务所(普通合伙) 11380 | 代理人： | 李荷香 |
| 地址： | 450001 河南省郑州*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 自旋 取向 灵敏度 薄膜 微型 温度传感器 | ||
1.一种基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，包括硅基片，其特征在于：所述的硅基片上依次设置有底下层、强磁性层、绝缘层、自由层和保护层，其中所述的底下层和保护层均为金属元素制成的电极，所述的强磁性层是由薄膜电阻器制成，所述的绝缘层为MgO层或者Cu层，所述的自由层是由高垂直磁晶各向异性的Co/Pt多层膜与高自旋极化率的平面磁各向异性CoFeB交换耦合膜组成。
2.一种基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，包括硅基片，其特征在于：所述的硅基片上依次设置有底下层、强磁性层、绝缘层、自由层和保护层，其中所述的底下层和保护层均为金属元素制成的电极，所述的强磁性层是由薄膜电阻器制成，所述的绝缘层为MgO层或者Cu层，所述的自由层是由高垂直磁各向异性膜Co/Ni多层膜组成。
3.根据权利要求1或2所述的基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，其特征在于：所述的薄膜电阻器是由MnIr反铁磁膜和CoFe/CoFeB强铁磁膜组成的巨磁阻或者磁隧道结薄膜电阻器，所述的CoFe/CoFeB强铁磁膜 设置在MnIr反铁磁膜 的外侧，所述的MnIr反铁磁膜的厚度大于CoFe/CoFeB强铁磁膜的厚度。
4.根据权利要求1或2所述的基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，其特征在于：所述的底下层和保护层的厚度为3-5纳米。
5.根据权利要求1或2所述的基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，其特征在于：所述的强磁性层的厚度为24纳米。
6.根据权利要求1或2所述的基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，其特征在于：所述的绝缘层的厚度为1.6纳米。
7.根据权利要求1或2所述的基于自旋重取向的高灵敏度薄膜微型温度传感器，其特征在于：所述的自由层的厚度为1.5纳米。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州方兴机械电子有限公司，未经郑州方兴机械电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220130543.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种天然气脱液脱硫装置
- 下一篇：螺杆推进密封装置
