[实用新型]内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率MOSFET

权利要求书

1.一种内嵌电极的沟槽式单一屏蔽井区功率MOSFET，其特征在于，该晶体管由多个单位晶胞所组成，且这些单位晶胞的任意一个的结构包含：

基板；

外延层，设置于该基板的一侧，且该外延层具有栅极沟槽与源极沟槽；

基体接面，设置于该外延层的一侧，且该基体接面具有重掺杂区，且该重掺杂区延伸植入至该外延层；

源极接面，设置于该基体接面的一侧，且该源极接面设置于该栅极沟槽两侧；

绝缘层，设置于该源极接面的一侧，且该绝缘层填入该栅极沟槽与该源极沟槽；

内嵌栅极电极，借由该绝缘层内嵌设置于该栅极沟槽；以及

屏蔽井区，植入于该外延层中，且该屏蔽井区设置于该源极沟槽底部或该屏蔽井区包覆该源极沟槽。

2.如权利要求1所述的功率MOSFET，其特征在于，还包含内嵌源极电极，借由该绝缘层内嵌设置于该源极沟槽。

3.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，该基体接面的厚度大于该源极接面的厚度。

4.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，该绝缘层覆盖该源极接面的至少一部分。

5.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，该重掺杂区、该源极接面的至少一部分与该源极沟槽用于形成源极端。

6.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，该栅极电极通过该绝缘层用于形成栅极端。

7.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，在该基板的另一侧用于形成漏极端。

8.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，该屏蔽井区可借由多次的植入用以形成多层屏蔽井区。

9.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，该内嵌栅极电极的 底部与该内嵌栅极沟槽的内侧底部之间具有间隔距离。

10.如权利要求9所述的功率MOSFET，其特征在于，该间隔距离供该内嵌栅极电极的底部接近或远离该内嵌栅极沟槽的内侧底部，用于决定该内嵌栅极电极的长度。

11.如权利要求2所述的功率MOSFET，其特征在于，该基板为N⁺型基板、该外延层为N型外延层、该基体接面为P型基体接面、该源极接面为N⁺型源极接面、该重掺杂区为P⁺型重掺杂区、以及该屏蔽井区为P型屏蔽井区、ν型屏蔽井区、或π型屏蔽井区的其中之一。