[实用新型]溅射设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜设备，特别是涉及一种溅射设备。

背景技术

真空磁控溅射的具体过程为：在高真空室中充入惰性气体(通常为氩气)，永久磁铁在靶材表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。在电场的作用下，Ar气电离成正离子和电子，靶材上加有一定的负高压，从靶材发出的电子受磁场的作用与工作气体的电离几率增大，在阴极(靶材)附近形成高密度的等离子体，Ar离子在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，以很高的速度轰击靶面，使靶材上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向基板淀积成膜。

完成上述过程的溅射镀膜设备通常包括装载腔体、过渡腔体、成膜腔体、卸载腔体、为了实现真空镀膜的配套系统以及用于运送基板的载片结构。在溅射镀膜过程中，载片结构承载基板通过各个腔体，溅射结束后由卸载腔体运出。

如图1、图2所示，一种现有技术的溅射设备包括装载腔体5、第一过渡腔体6、成膜腔体7、第二过渡腔体8、回转腔体9、卸载腔体10、载片结构30及完成溅射的溅射装置12。其中第一过渡腔体6、成膜腔体7、第二过渡腔体8、回转腔体9内均安装有加热装置13。载片结构30包括贯穿上述腔体的第一导轨31、第二导轨32及用于固定并带动承载板1。基板4通过安装于承载板1上的夹具3固定于承载板1上。承载板1的上下两端分别安装有第一滑动装置2、第二滑装置33。第一滑动装置2与第一导轨31的配合，第二滑动装置33与第二导轨32的配合。溅射装置12安装于成膜腔体7内，用于对承载板上的基板进行溅射镀膜。

当溅射设备工作时，在装载腔体5内，基板4安装于承载板1上，然后对装载腔体5抽真空，当装载腔体5内真空度达到要求，装载腔体5与第一过渡腔体6之间的隔板打开，承载结构1带动基板4沿第一导轨31、第二导轨32由装载腔体5出发，依次经过第一过渡腔体6、成膜腔体7、第二过渡腔体8、回转腔体9、第二过渡腔体8、成膜腔体7、第一过渡腔体6，到达卸载腔体10内，这时卸载腔体10与第一过渡腔体6之间隔板紧闭，基板4与承载结构1一起被运出，然后对卸载腔体10抽真空，一次工作循环结束。即每次工作循环需要两次抽真空作业。这种溅射设备的载片结构每次工作循环只能装载一片基板，由此溅射设备每两次抽真空作业仅能处理一块基板，效率较低，耗能较高。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种工作效率高、耗能低的溅射设备。

本实用新型提供的溅射设备，包括成膜腔体、载片结构、传输结构、用于完成溅射的溅射装置、真空系统和气氛控制系统，其中，载片结构包括相对设置的第一承载板和第二承载板，第一承载板和第二承载板之间设置有磁屏蔽板，载片结构装设于传输结构上，传输结构用于传输所述载片结构，溅射装置包括第一溅射装置和第二溅射装置，第一溅射装置设置于成膜腔体的第一内壁上，第二溅射装置设置于与第一内壁相对的第二内壁上，所述第一溅射装置与第一承载板相对，所述第二溅射装置与第二承载板相对。

具体的，所述第一承载板和第二承载板之间设置有加热装置，用于给设置在承载板上的基板加热。

具体的，所述载片结构的第一承载板和第二承载板上侧设置有连接处，所述连接处与所述第一承载板和第二承载板围设形成凹槽结构。

具体的，上述溅射设备还包括：第一过渡腔体、第二过渡腔体、装载腔体和卸载腔体，所述装载腔体用于基板装载于所述载片结构上，所述卸载腔体用于卸载所述载片机构上的基板，所述溅射设备各腔体的连接顺序为装载腔体、第一过渡腔体、成膜腔体、第二过渡腔体和卸载腔体。

具体的，上述溅射设备还包括：第一过渡腔体、第二过渡腔体、第三过渡腔体、二次成膜腔体、装载腔体和卸载腔体，所述装载腔体用于基板装载于所述载片结构上，所述卸载腔体用于卸载所述载片机构上的基板，所述二次成膜腔体两侧的内壁上分别设置有第三溅射装置和第四溅射装置，用于对所述基板实现二次溅射镀膜，所述溅射设备各腔体的连接顺序为装载腔体、第一过渡腔体、成膜腔体、第二过渡腔体、二次成膜腔体、第三过渡腔体和卸载腔体。

具体的，上述溅射设备还包括装载腔体、第一过渡腔体、成膜腔体、第二过渡腔体、回转腔体、第三过渡腔体、二次成膜腔体、第四过渡腔体和卸载腔体，所述二次成膜腔体两侧的内壁上分别设置有第三溅射装置和第四溅射装置，用于对所述基板实现二次溅射镀膜，所述溅射设备各腔体的连接顺序依次为：装载腔体、第一过渡腔体、第一成膜腔体、第二过渡腔体、回转腔体、第三过渡腔体、第二成膜腔体、第四过渡腔体和卸载腔体。