[实用新型]一种TFT-LCD阵列基板和液晶显示器有效
| 申请号: | 201220072372.1 | 申请日: | 2012-02-29 |
| 公开(公告)号: | CN202443225U | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
| 发明(设计)人: | 陈东 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L23/29 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 tft lcd 阵列 液晶显示器 | ||
1.一种TFT-LCD阵列基板,包括形成于基板上的栅极线、数据线、薄膜晶体管,所述栅极线与数据线所占区域以及二者交叉限定的区域为像素区,所述像素区内除去栅极线、数据线、以及薄膜晶体管所占区域以外的区域为开口区,所述开口区内形成有像素电极和公共电极,其特征在于,还包括:
树脂绝缘层,位于所述数据线与所述像素电极之间,包括被刻蚀掉的刻蚀区和未经刻蚀的覆盖区,所述覆盖区至少覆盖所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和沟道,所述刻蚀区至少暴露出所述开口区。
2.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述覆盖区覆盖所述数据线和所述薄膜晶体管的源极、沟道以及漏极,在所述树脂绝缘层上对应所述薄膜晶体管的漏极的位置设置有过孔,所述漏极经所述过孔与像素电极连接在一起。
3.如权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述刻蚀区暴露出所述开口区和所述栅极线。
4.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述刻蚀区暴露出所述开口区和所述薄膜晶体管的漏极。
5.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述刻蚀区暴露出所述开口区、所述薄膜晶体管的漏极和所述栅极线。
6.一种液晶显示器,其特征在于,包括权利要求1~5任一所述的TFT-LCD阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220072372.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:残压优化型电涌保护器
- 下一篇:一种可调式的窨井盖





