[发明专利]一种薄膜晶体管生长工艺无效
| 申请号： | 201210595739.2 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871891A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杜金秋 | 申请（专利权）人： | 青岛恒科信技术服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 生长 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种ZnSrO TFT生长工艺，其特征在于
该ZnSrO生长工艺包括：
腐蚀ITO玻璃；
生长ZnSrO复合层结构
其中，ZnSrO复合层TFT器件后期制备流程如下：
刻蚀Al；
湿法腐蚀ZnSrO。
2.如权利要求1所述的ZnSrO TFT生长工艺，其特征在于，上述腐蚀ITO玻璃包括使用腐蚀液HNO3∶H2O∶HCI＝1∶2∶3，水浴50℃1分钟。
3.如权利要求1所述的ZnSrO TFT生长工艺，其特征在于，
上述生长ZnSrO复合层结构包括采用物理蒸发低温沉积(PELD)系统蒸发氧化物ZnO和SrO，在ITO玻璃衬底上连续沉积生长ZnSrO和C-ZnSrO复合层薄膜。
4.如权利要求1所述的ZnSrO TFT生长工艺，其特征在于，
上述湿法腐蚀ZnSrO包括采用H3PO4∶H2O配比的溶液水浴60℃湿法腐蚀ZnSrO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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