[发明专利]微电子工艺处理设备和用于其的反应腔室

权利要求书

1.一种用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，包括：

腔室本体，所述腔室本体具有开口的上端；

进气部件，所述进气部件盖住所述腔室本体的上端且中央形成有第一通孔，所述进气部件上形成有至少一个沿其周向分布的进气孔；

气体分配件，所述气体分配件设置在所述进气部件上且中央形成有第二通孔，其中所述气体分配件的底面上形成有与所述进气孔相连通的周向槽，且所述周向槽的与所述第二通孔相邻的侧壁和所述第二通孔的周向壁之间形成有气体通道；

喷淋板，所述喷淋板封闭所述第一通孔的下表面且所述喷淋板上形成有多个喷淋孔；以及

上盖，所述上盖设置在所述气体分配件上且盖住所述气体分配件的所述第二通孔，且所述上盖上形成有上气体入口，所述上气体入口与所述第二通孔相连通。

2.根据权利要求1所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述进气部件的顶面上设有两条环形密封槽，其中所述气体分配件底面的周向槽对应所述两条环形密封槽之间的进气部件顶面的部分。

3.根据权利要求1所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述进气部件和所述气体分配件形成为圆环形，且所述第一通孔、所述第二通孔以及所述上气体入口同轴设置。

4.根据权利要求1所述的用于微电子工艺处理设备的进气装置，其特征在于，所述进气部件包括多个沿着周向均匀分布的进气孔。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述第一通孔和所述第二通孔的直径相同且大于所述上气体入口的直径。

6.根据权利要求1所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述周向槽的与所述第二通孔相邻的侧壁和所述第二通孔的周向壁之间形成有多个所述气体通道。

7.根据权利要求6所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述气体通道水平设置且沿着周向均匀分布。

8.根据权利要求6所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述气体通道在所述周向槽的与所述第二通孔相邻的侧壁的第一开口位置高于所述气体通道位于所述第二通孔的所述周向壁上的第二开口位置。

9.根据权利要求8所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述气体通道的横截面从所述第一开口位置朝向所述第二开口位置逐渐减小。

10.根据权利要求1所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述进气部件、所述气体分配件和所述上盖中的至少一个由铝材料制成，或通过在不锈钢外喷涂铝或镍制成。

11.根据权利要求1所述的用于微电子工艺处理设备的反应腔室，其特征在于，所述腔室本体的上端形成有法兰，所述进气部件的边缘固定至所述法兰且所述法兰上形成有与所述进气孔相对应的通孔。

12.一种微电子工艺处理设备，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的反应腔室。

13.根据权利要求12所述的微电子工艺处理设备，其特征在于，所述微电子工艺处理设备为刻蚀设备、等离子增强化学气象沉积设备、或原子层沉积设备。