[发明专利]利用多层聚电解质膜基底制备的磷脂双层膜阵列及其方法无效

专利信息
申请号: 201210592044.9 申请日: 2012-12-17
公开(公告)号: CN103030305A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 韩晓军;张迎;齐国栋 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C03C17/28 分类号: C03C17/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨市*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 利用 多层 电解 质膜 基底 制备 磷脂 双层 阵列 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种利用多层聚电解质膜基底制备磷脂双层膜阵列的方法,其特征在于,方法如下:

(1)、制备APTES自组装单层膜:将玻璃基底用无水乙醇和蒸馏水各超声清洗5min-10min,用氮气吹干后置于等离子清洗机中处理20s-30s;将清洗干净的基底放入3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)和甲苯混合溶液中自组装2-4小时,其体积比为1∶50-1∶150,组装结束后用甲苯清洗并氮气吹干待用;

(2)、层层组装聚电解质:将聚(4-苯乙烯磺酸钠)(PSS)和聚(二烯丙基二甲基氯化铵)(PDDA)分别配制成浓度为2mg/mL的水溶液,再加入NaCl,同时调节pH至1.0-3.0,使其所含的NaCl浓度为0.5mol/L后待用;将用3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)修饰的基底浸泡在配制好的聚(4-苯乙烯磺酸钠)(PSS)溶液中10min-20min,取出用蒸馏水冲洗并用氮气吹干,之后将其浸入配制好的聚(二烯丙基二甲基氯化铵)(PDDA)溶液中10min-20min,按上述步骤清洗后即得到一个PSS/PDDA聚电解质双层;

(3)、修饰后玻璃表面的图案化:应用深度紫外照射有掩膜覆盖的基底进行图案光刻,光源波长为254nm,照射时间为40min-300min,得到聚电解质膜所构成的图案化的基底;

(4)、磷脂泡囊溶液的制备:将蛋黄卵磷脂(egg PC)溶于氯仿中,吸取适量的磷脂氯仿溶液用于制备泡囊,并用氮气将氯仿吹干,再加入蒸馏水,经涡旋振荡配制成浓度为5mg/mL-10mg/mL磷脂胶束溶液,通过挤压法制备成规格为50nm-200nm的泡囊,加水稀释后与pH=7磷酸盐缓冲液等体积混合至浓度为0.5mg/mL-1mg/mL;

(5)、磷脂双层膜阵列的制备:将图案化的基底浸入磷脂泡囊溶液中,孵育1h-4h,即得到流动性良好的磷脂双层膜阵列。

2.根据权利要求1所述的一种利用多层聚电解质膜基底制备磷脂双层膜阵列的方法,其特征在于:重复所述的步骤(2)多次,能够得到多个PSS/PDDA聚电解质双层,即不同厚度的聚电解质膜。

3.根据权利要求1所述的一种利用多层聚电解质膜基底制备磷脂双层膜阵列的方法,其特征在于:所述的步骤(3)通过变换不同掩膜图案,将修饰后的基底光刻成不同尺寸不同图案的阵列,掩膜图案为圆形、方形、三角形或多边形。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种利用多层聚电解质膜基底制备磷脂双层膜阵列的方法制备的磷脂双层膜阵列。

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