[发明专利]镀膜件及其制备方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括基材及色彩层，其特征在于：该镀膜件还包括形成于该基材表面的打底层及形成于该打底层表面的过渡层，该色彩层形成于该过渡层上，该色彩层为铬铝硅层，该色彩层中含有的铬、铝、硅的原子比为1-3：0.5-2：0.3-1；该色彩层呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标介于25至28，a*坐标介于-1至-6，b*坐标介于-5至-9。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该打底层为金属铬层，该过渡层为碳化铬或氮化铬层。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该打底层的厚度为50-100nm，该过渡层的厚度为100-200nm。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该基材的材质为不锈钢或铝合金。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：该色彩层的厚度为0.3-0.5μm。

6.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：

提供基材；

在该基材表面形成打底层以及在该打底层表面形成过渡层；

在该基材的过渡层形成色彩层，采用磁控溅射法，使用铬靶、铝靶和硅靶，并通入工作气体氩气，该色彩层为铬铝硅层，该色彩层中含有的铬、铝、硅的原子比为1-3：0.5-2：0.3-1；该色彩层呈现的色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标介于25至28，a*坐标介于-1至-6，b*坐标介于-5至-9。

7.如权利要求6所述镀膜件的制备方法，其特征在于：制备该色彩层的具体工艺参数为：靶材均使用射频电源，铬靶、铝靶和硅靶的功率分别为3-5kw、2-3kw和1-2kw，氩气流量为80-120sccm，镀膜时镀膜室内的温度为80-100℃，施加于基材的偏压为-150～-250V，镀膜时间为40-60min。

8.如权利要求6所述镀膜件的制备方法，其特征在于：制备该打底层的具体工艺参数为：使用铬靶，铬靶使用射频电源，铬靶的功率为5-8kw，通入工作气体氩气，氩气流量为100-200sccm，镀膜时镀膜室内的温度为90-110℃，施加于基材的偏压为-200～-350V，镀膜时间为10-15min。

9.如权利要求6所述镀膜件的制备方法，其特征在于：制备该过渡层的具体工艺参数为：使用铬靶，铬靶使用射频电源，铬靶的功率为4-6kw，通入工作气体氩气和反应气体乙炔或氮气，氩气流量为120-150sccm，反应气体的流量为30-50sccm，镀膜时镀膜室内的温度为90-105℃，施加于基材的偏压为-200～-300V，镀膜时间为30-50min。