[发明专利]一种计算机硬盘的化学机械抛光液有效
| 申请号: | 201210587505.3 | 申请日: | 2012-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN103897604A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
| 发明(设计)人: | 宋晗;王良咏;刘卫丽;宋志棠 | 申请(专利权)人: | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 许亦琳;余明伟 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 计算机 硬盘 化学 机械抛光 | ||
技术领域
本发明涉及计算机领域,具体涉及一种计算机硬盘的化学机械抛光液。
背景技术
在硬盘驱动器行业中,最近十年对提高数据容量的需求日益增大,对硬盘的存储与读取技术要求越来越高。从磁头磁盘接口观点来看,缩短从临时读写磁头到磁盘介质之间的距离已经成为在硬盘驱动器上达到更高数据密度的主要驱动力。为了尽可能缩短磁头与磁盘之间的间隙,需要将磁盘的表面粗糙度控制在足够低的水平。高速旋转的时候,盘片同空气相互摩擦所产生的热量是不可忽视的,具有更光滑表面的硬盘片自然会在这方面具有优势,同样也具有噪声小、振动小的特点。因此,刮伤、微粒等表面缺陷的数量必须少到足以能够提高硬盘驱动器运行的机械稳定性。
化学机械抛光是目前实现全局平坦化最好的方法。一般来说,化学机械抛光是通过化学反应并结合用聚合垫和含有先进化学物质及研磨剂的浆液,在一定负荷下对磁盘接触表面的机械研磨来实现的。
目前国内硬盘批量生产的技术容易引起表面缺陷,抛光过程中以氧化铝颗粒作为磨料,硬度大,容易对NiP硬盘造成损伤,它的粘度大,抛光后的产物会粘在硬盘表面,导致后清洗困难,这样就大大提高了NiP硬盘片加工的成本。
因此,如何在提高计算机硬盘表面光洁度和全局平坦化质量的同时并保证一定的硬盘的抛光速率,是硬盘加工处理中的一大课题。为了解决这一课题,研究人员提出了各种方案。
CN201210046523公开的硬盘抛光液主要涉及到的是一种碱性存储器硬盘抛光组合物,用于计算机硬盘基片的粗抛光,加入了络合剂和助蚀剂,减少硬盘表面的粗糙度;CN200610013979公开的用于存储器硬盘的磁盘基片抛光的纳米SiO2水溶胶为磨料的碱性抛光液,具有强螯合作用,利用粒径小的磨料,解决粗糙度,波纹度和表面缺陷的传统问题,但它们均未涉及到加工过程中同时兼顾去除速率与表面粗糙度的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种用于抛光NiP硬盘的能有效提高硬盘表面质量和加工效率的计算机硬盘化学机械抛光液。
本发明的技术方案为:一种计算机硬盘化学机械抛光液,为含有氧化剂、研磨粒子、盐类添加剂以及pH调节剂的水溶液;所述盐类添加剂通式为X-R-Y,其中X为阳离子,Y为阴离子,R为直链烃基或其衍生物。
较优的,X选自Ca2+、Mg2+、Zn2+、K+、Na+、Li+、-NH2+或Al3+,Y选自PO43-、NO3-、Cl-、Br-、I-、COOH-或SO42-,R为-[CH2]n-、-[CH2]n-的衍生物、-[CH=CH]n-或-[CH=CH]n-的衍生物。
较优的,所述氧化剂选自铁氰化钾、双氧水、过硫酸铵、过硫酸钾或过硫酸钠。
较优的,所述研磨粒子为氧化硅粒子。
更优的,所述氧化硅粒子的半径为10~80nm。
较优的,所述抛光液中,氧化剂的浓度为0.1~20wt%,研磨粒子的浓度为0.2~30wt%,盐类添加剂的浓度为0.5~1.5wt%,所述抛光液的pH值为1~9。
更优的,所述抛光液中,氧化剂的浓度为2~10wt%,研磨粒子的浓度为1~10wt%,盐类添加剂的浓度为1wt%,所述抛光液的pH值为1~5。
较优的,所述pH调节剂为HCl或KOH。
更优的,所述HCl或KOH的浓度为0.1M~2M。
pH值调节剂用于调节抛光液pH值,pH值调节剂的使用有利于稳定抛光浆液,并使得抛光效果更佳。
本发明的硬盘化学机械抛光液中所使用的溶剂为去离子水。
本发明第二方面公开了前述计算机硬盘化学机械抛光液的应用,为用于NiP硬盘的抛光。
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