[发明专利]一种MOS管驱动电路

说明书

本发明涉及LED电源开关电路领域，特别涉及一种MOS管驱动电路。 

背景技术

金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管、MOS管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。 

在现有的MOS管制造工艺上，MOS管栅极的引线的电流容量具有一定的限度，在灌流电路饱和导通时，内部VCC电源对MOS管栅极的瞬时充电会产生较大的电流，极易损坏MOS管的输入端。由于上述问题的存在，本领域人员为了避免MOS管的损坏，在具体的电路中通常在栅极充电的电路中串连适当的充电限流电阻，以达到限制瞬时充电的电流值的目的。 

本发明人在经过仔细研究和验证下，发现现有的电路保护措施具有以下缺陷： 

现有的MOS管制造工艺上采用的充电限流电阻电阻值较大时，MOS管的栅-源极电压上升速率较慢，副边二极管的关断振铃幅度明显降低，同时辐射EMI亦会减少。但是由于电路中增加了充电限流电阻，当灌流电路截止时，MOS管的放电速率受到明显的限制；

在灌流电路充电时，其内部VCC电源产生电流，栅-源极所充的电压产生电流放电，但是由于栅-源极电压远小于灌流电路内部VCC电压，充电限流电阻的存在在明显降低了MOS管的放电速率的同时，还会令MOS管的开关动作减慢，影响了电路的效果。

发明内容

本发明实施例的发明目的在于提供一种MOS管驱动电路，应用该技术方案可以防止了充电限流电阻影响MOS管的放电速率，保证了MOS管开关速率，提高了MOS管工作的稳定性。 

为了实现上述发明目的，本发明的完整技术方案是： 

一种MOS管驱动电路，包括灌流电路；还包括二极管、充电限流电阻、第一电阻、MOS管；所述灌流电路的输出端同时连接所述二极管和所述充电限流电阻的一端；所述二极管的另一端连接所述第一电阻的一端；所述MOS管的栅极同时连接所述充电限流电阻和所述第一电阻的另一端。

可选的，还包括第二电阻；所述第二电阻的一端连接所述MOS管的栅极，另一端连接所述MOS管的源极。 

可选的，所述充电限流电阻的电阻值为22 ~100欧姆。 

可选的，所述第一电阻记为R2，其电阻值为： ，R1为所述充电限流电阻的电阻值。 

可选的，所述第二电阻记为R3，其电阻值为：，R1为所述充电限流电阻的电阻值。 

由上可见，应用本实施例技术方案，在充电限流电阻上并联一个放电通路。该放电通路在MOS管放电时导通，在MOS管充电时反偏截止，防止了充电限流电阻影响MOS管的放电速率，保证了MOS管开关速率，提高了MOS管工作的稳定性。 

本发明还可以在MOS管的栅-源极之间并联一个第二电阻，为MOS管提供多一条的放电通路，保证了MOS管的放电速率的同时，使得MOS管工作更稳定。 

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为本发明实施例1提供的电路图； 

图2为本发明实施例2提供的电路图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 

实施例1：

如图1所示，本实施例提供了一种MOS管驱动电路，它包括灌流电路（MOS管Q1与MOS管Q2构成）；还包括二极管D1、充电限流电阻R1、第一电阻R2、MOS管Q3;灌流电路的输出端同时连接二极管D1和充电限流电阻R1的一端；二极管D1的另一端连接第一电阻R2的一端；MOS管Q3的栅极G同时连接所述充电限流电阻R1和第一电阻R2的另一端。

实施例2：