[发明专利]一种带有存储器的终端及非易失性存储器数据保护电路有效
| 申请号： | 201210583453.2 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103903648A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 孙博文;邓玉良;刘云龙;王艳东;何初冬;卢国新;周锦;武小玉 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 存储器 终端 非易失性存储器 数据 保护 电路 | ||
1.一种非易失性存储器数据保护电路，包括电流源，所述非易失性存储器数据保护电路连接在非易失性存储器和与所述非易失性存储器的数据读取端连接的数据读取模块之间，其特征在于，所述非易失性存储器数据保护电路还包括：
输入端与所述电流源连接的电流源开关模块；
与地连接的电流沉开关模块；
分别连接在所述非易失性存储器和所述数据读取模块以及所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块之间，在所述电流源输出的电流通过时熔断以保护所述非易失性存储器数据安全的熔断电丝；
接收所述非易失性存储器数据保护电路的自毁控制信号的自毁控制信号接收端；
与所述自毁控制信号接收端连接，发送自毁触发信号的自毁触发模块；
分别与所述自毁触发模块、所述电流源开关模块以及所述电流沉开关模块连接，接收所述自毁触发信号，控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块导通熔断所述熔断电丝，使所述数据读取模块和所述非易失性存储器之间的通路断开以保护数据安全的自毁控制模块。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述电流源开关模块为PMOS管Q1，所述PMOS管Q1的漏极接电流源VCC，所述PMOS管Q1的栅极为所述电流源开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第一输出端连接，所述PMOS管Q1的源级为所述电流源开关模块的输出端连接在所述非易失性存储器和所述熔断电丝的公共连接端之间。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述电流沉开关模块为NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的漏极为所述电流沉开关模块的输入端连接在所述数据读取模块和所述熔断电丝的公共连接端之间，所述NMOS管Q2的栅极为所述电流沉开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第二输出端连接，所述NMOS管Q2的源级接地。
4.如权利要求1所述的非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述自毁控制信号接收端包括：
与所述自毁触发模块连接，通过信号线接收自毁控制信号的有线接收端；以及
与所述自毁触发模块连接，通过无线接收自毁控制信号的无线接收端。
5.如权利要求4所述的非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述无线接收端为2.4G无线接收模块、红外接收模块、无线wi-fi接收模块、2G/3G无线模块中的一种或其任意组合。
6.一种带有存储器的终端，包括非易失性存储器数据保护电路，其特征在于，所述非易失性存储器数据保护电路包括电流源，所述非易失性存储器数据保护电路连接在非易失性存储器和与所述非易失性存储器的数据读取端连接的数据读取模块之间，其特征在于，所述非易失性存储器数据保护电路还包括：
输入端与所述电流源连接的电流源开关模块；
与地连接的电流沉开关模块；
分别连接在所述非易失性存储器和所述数据读取模块以及所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块之间，在所述电流源输出的电流通过时熔断以保护所述非易失性存储器数据安全的熔断电丝；
接收所述非易失性存储器数据保护电路的自毁控制信号的自毁控制信号接收端；
与所述自毁控制信号接收端连接，发送自毁触发信号的自毁触发模块；
分别与所述自毁触发模块、所述电流源开关模块以及所述电流沉开关模块连接，接收所述自毁控制信号，控制所述电流源开关模块和所述电流沉开关模块导通熔断所述熔断电丝，使所述数据读取模块和所述非易失性存储器之间的通路断开以保护数据安全的自毁控制模块。
7.如权利要求6所述的带有存储器的终端，其特征在于，所述电流源开关模块为PMOS管Q1，所述PMOS管Q1的漏极接电流源VCC，所述PMOS管Q1的栅极为所述电流源开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第一输出端连接，所述PMOS管Q1的源级为所述电流源开关模块的输出端连接在所述非易失性存储器和所述熔断电丝的公共连接端之间。
8.如权利要求6所述的带有存储器的终端，其特征在于，所述电流沉开关模块为NMOS管Q2，所述NMOS管Q2的漏极为所述电流沉开关模块的输入端连接在所述数据读取模块和所述熔断电丝的公共连接端之间，所述NMOS管Q2的栅极为所述电流沉开关模块的控制端与所述自毁控制模块的第二输出端连接，所述NMOS管Q2的源级接地。
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